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TRIAC de alta tensão BTA/BTB 16 do transistor BTA16-600BRG 16A do Mosfet do poder

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Padrão 600 V 16 A do TRIAC através do furo TO-220
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Corrente do em-estado do RMS:
16 A
Corrente máxima do em-estado do impulso não repetitivo (ciclo completo, Tj = 25°C) inicial:
168 A
Tensão máxima do fora-estado do impulso não repetitivo:
VDRM/VRRM + 100 V
Corrente de coletor:
150 miliampères
Taxa crítica de elevação da corrente do em-estado:
50 A/µs
Corrente máxima da porta:
4 A
Dissipação de poder média da porta:
1 W
Destaque:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introdução

TRIAC de alta tensão BTA/BTB 16 do transistor BTA16-600BRG 16A do Mosfet do poder

DESCRIÇÃO

Disponível em pacotes do através-furo ou da superfície-montagem, na série do TRIAC BTA/BTB16 e T16 é apropriado para o interruptor de uso geral da C.A. Podem ser usados como uma função DE LIGAR/DESLIGAR nos pedidos tais como relés estáticos, regulamento do aquecimento, motor de indução que liga circuitos… ou para a operação de controle da fase em redutors leves, controladores da velocidade do motor,…

As versões snubberless (série W e T16 de BTA/BTB…) são recomendadas especialmente para o uso nas cargas indutivas, agradecimentos a seus desempenhos altos da comutação. Usando uma almofada cerâmica interna, a série de BTA fornece a tensão aba isolada (avaliada em 2500V RMS) que cumpre com os padrões do UL (referência do arquivo.: E81734).

Símbolo Valor Unidade
A TI (RMS) 16
VDRM/VRRM 600, 700 e 800 V
IGT (Q1) 10 a 50 miliampère

INFORMAÇÃO PEDINDO

Fig. 1: Dissipação de poder máxima contra a corrente do em-estado do RMS (ciclo completo).

Fig. 2-1: Em-estado do RMS atual contra a temperatura de caso (ciclo completo).

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