Transistor de efeito de campo do modo do realce do N-canal do transistor do Mosfet do poder de AO3400A
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem SOT-23-3 da superfície 1.4W do N-canal 30 V 5.7A (Ta) (Ta)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Payapl
Especificações
Tensão da Dreno-fonte:
30 V
Tensão da Porta-fonte:
±12 V
Dreno pulsado B atual:
25A
Dreno contínuo:
TA=25°C
Variação da temperatura da junção e do armazenamento:
-55 a 150°C
Destaque:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introdução
AO3400A
Transistor de efeito de campo do modo do realce do N-canal
Descrição geral
O AO3400A usa tecnologia avançada da trincheira para fornecer o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta. Este dispositivo é apropriado para o uso como um interruptor da carga ou em aplicações de PWM. O produto padrão AO3400A é Pb-livre (reuniões ROHS & Sony 259 especificações).
Características
VDS (v) = 30V
Identificação = 5.7A (VGS = 10V)
RDS (SOBRE) < 26="">
RDS (SOBRE) < 32m="">
RDS (SOBRE) < 48m="">
| Características térmicas | |||||
| Parâmetro | Símbolo | Tipo | Máximo | Unidades | |
| A Junção-à-ambiental máximo | ≤ 10s de t | RθJA | 70 | 90 | °C/W |
| A Junção-à-ambiental máximo | De estado estacionário | 100 | 125 | °C/W | |
| Junção-à-ligação máxima C | De estado estacionário | RθJL | 63 | 80 | °C/W |
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