Interruptor rápido do transistor do Mosfet do poder da terceira geração HEXFET IRFBC40PBF
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-canal 600 V 6.2A (Tc) 125W (Tc) através do furo TO-220AB
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
VDS (v):
600
RDS (sobre) (Ω):
VGS = 10 V
Qg (máximo) (nC):
60
Qgs (nC):
8,3
Qgd (nC):
30
Configuração:
Único
Destaque:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introdução
MOSFET do poder
CARACTERÍSTICAS
• Avaliação dinâmica de dV/dt
• Avalancha repetitiva avaliada
• Interruptor rápido
• Facilidade da paralelização
• Exigências simples da movimentação
• Ligação (Pb) - disponível livre
DESCRIÇÃO
Os MOSFETs do poder da terceira geração de Vishay fornecem o desenhista a melhor combinação de interruptor rápido, de projeto ruggedized do dispositivo, de baixa em-resistência e de rentabilidade.
O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipação de poder a aproximadamente 50 W. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitação larga durante todo a indústria
| INFORMAÇÃO PEDINDO | |
| Pacote | TO-220 |
| Ligação (Pb) - livre |
IRFBC40PbF SiHFBC40-E3 |
| SnPb |
IRFBC40 SiHFBC40 |
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