transistor FDV305N do Mosfet do poder de PowerTrench do N-canal 20V
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem SOT-23-3 da superfície 350mW do N-canal 20 V 900mA (Ta) (Ta)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão da Dreno-fonte:
20 V
Tensão da Porta-fonte:
± 12 V
Dissipação de poder máxima:
0,35 W
Variação da temperatura da junção do funcionamento e do armazenamento:
– °C 55 a +150
Resistência térmica, junção-à-ambiental:
357 °C/W
Destaque:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introdução
FDV305N
MOSFET do de PowerTrench do N-canal 20V
Descrição geral
Este MOSFET do N-canal 20V usa o processo de alta tensão do PowerTrench de Fairchild. Foi aperfeiçoado para aplicações da gestão do poder.
Aplicações
• Interruptor da carga
• Proteção da bateria
• Gestão do poder
Características
• 0,9 A, 20 V
MΩ 220 do RDS (SOBRE) = @ VGS = 4,5 V
MΩ 300 do RDS (SOBRE) = @ VGS = 2,5 V
• Baixa carga da porta
• Velocidade de comutação rápida
• Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (SOBRE)
Avaliações máximas absolutas
| Símbolo | Parâmetro | Avaliações | Unidades |
| VDSS | Tensão da Dreno-fonte | 20 | V |
| VGSS | Tensão da Porta-fonte | ± 12 | V |
| Identificação |
Drene atual – 0,9 A contínuo – Pulsado |
0,9 2 |
|
| Paládio | Dissipação de poder máxima | 0,35 | W |
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