Poder complementar Ttransistors BD139 do silicone
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Transistor (BJT) bipolar NPN 80 V 1,5 A W 1,25 através do furo SOT-32-3
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão da Coletor-base:
80V
tensão do Coletor-emissor:
80V
tensão da Emissor-base:
5V
Corrente de coletor:
1.5A
Destaque:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introdução
Poder complementar Ttransistors BD139/BD140 do silicone
DESCRIÇÃO
Intented para o uso no amplificador de potência e em aplicações de comutação.
| Parâmetro | l | Valor | Unidade |
| Tensão da Coletor-base | VCBO | 80 | V |
| Tensão do Coletor-emissor | VCEO | 80 | V |
| Tensão da Emissor-base | VEBO | 5 | V |
| Corrente de coletor | IC | 1,5 | |
| Corrente baixa | IB | 0,5 | |
| Dissipação total em | Ptot | 12,5 | W |
| Temperatura de junção de Máximo Operating | Tj | 150 | OC |
| Temperatura de armazenamento | Tstg | -55~150oC | OC |
| Parâmetro | Símbolo | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidade |
| Corrente de interrupção de coletor | ICEO | VCB =80V, IE =0 | -- | -- | 10 | A |
| Corrente da interrupção do emissor | IEBO | VEB =5V, IC =0 | -- | -- | 10 | A |
| Tensão de sustentação do Coletor-emissor | VCEO | IC =30MA, IB =0 | 80 | -- | -- | V |
| Ganho atual de C.C. |
hFE (1) hFE (2) |
VCE =2V, IC =0.5A VCE =2V, IC =150MA |
25 40 |
-- -- |
-- 250 |
|
| Tensão de saturação do Coletor-emissor | VCE (se sentou) | IC =0.5A, IB =50MA | -- | -- | 0,5 | V |
| Tensão de saturação do emissor de base | VBE (se sentou) | VCE =2V, IC =0.5A | -- | -- | 1,0 | V |
| Produto da largura de banda do ganho atual | fT | VCE =10V, IC =500MA | 3 | -- | -- | Megahertz |
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