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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Baixa resistência térmica 100 MOSFETs CSD19533Q5A do poder de NexFET do N-canal de V

Baixa resistência térmica 100 MOSFETs CSD19533Q5A do poder de NexFET do N-canal de V

Baixa resistência térmica 100 MOSFETs CSD19533Q5A do poder de NexFET do N-canal de V
Baixa resistência térmica 100 MOSFETs CSD19533Q5A do poder de NexFET do N-canal de V
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-canal 100 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), (Tc) montagem 8-VSONP da superfície 96W (5x6)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão da Dreno-à-fonte:
100 V
Total da carga da porta (10 V):
27 nC
Porta da carga da porta a drenar:
4,9 nC
Dreno-à-fonte na resistência:
mΩ 8,7
Tensão do ponto inicial:
2,8 V
Destaque:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introdução

CARACTERÍSTICAS

• Ultra-baixos Qg e Qgd

• Baixa resistência térmica

• Avalancha avaliada

• Chapeamento terminal Pb-livre

• RoHS complacente

• Halogênio livre

• FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros

APLICAÇÕES

• Telecomunicações laterais preliminares

• Retificador síncrono lateral secundário

• Controlo do motor

DESCRIÇÃO

Este 100 V, 7,8 mΩ, FILHO 5 milímetro x 6 milímetros NexFET™

o MOSFET do poder é projetado minimizar dentro perdas

aplicações da conversão de poder.

Informação da fita e do carretel de Q5A

Notas:

1. tolerância cumulativa ±0.2 do furo-passo 10-sprocket

2. Curve para não exceder 1 milímetro em 100 milímetros, mais de 250 milímetros noncumulative

3. Material: poliestireno estático-dissipative preto

4. Todas as dimensões estão no milímetro (salvo disposição em contrário)

5. A0 e B0 mediram em um plano 0,3 milímetros acima da parte inferior do bolso

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