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A saída dobro dos transistor do transistor do Mosfet do poder de NPN trava 3-State 74AHCT595PW, 118

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Bocado 16-TSSOP do elemento 8 do registro de deslocamento 1 do deslocamento
Categoria:
Chips de circuito integrado
Preço:
negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Níveis entrados 1:
O 74AHC595 opera-se com níveis de entrada do CMOS
Níveis entrados 2:
O 74AHCT595 opera-se com níveis de entrada de TTL
Proteção 1 do ESD:
HBM JESD22-A114E excede 2000 V
Proteção 2 do ESD:
O milímetro JESD22-A115-A excede 200 V
Proteção 3 do ESD:
CDM JESD22-C101C excede 1000 V
característica 6:
Especificado do °C −40 ao °C +85 e do °C −40 ao °C +125
Destaque:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introdução

1. Descrição geral

O 74AHC595; 74AHCT595 são dispositivos de alta velocidade do CMOS da Si-porta e são pino

compatível com baixa potência Schottky TTL (LSTTL). São especificados em conformidade com

No. padrão 7A de JEDEC.

O 74AHC595; 74AHCT595 são 8 registros de deslocamento de série da fase com um registro de armazenamento e

saídas 3-state. Os registros têm pulsos de disparo separados.

Os dados são deslocados nas transições positivo-indo da entrada de pulso de disparo do registro de deslocamento (SHCP).

Os dados em cada registro são transferidos ao registro de armazenamento em positivo-ir

transição da entrada de pulso de disparo do registro de armazenamento (STCP). Se ambos os pulsos de disparo são conectados junto,

o registro de deslocamento será sempre um impulso de relógio antes do registro de armazenamento.

O registro de deslocamento tem uma entrada de série (DS) e uma saída padrão de série (Q7S) para conectar.

Igualmente fornece-se com a restauração assíncrona (PONTO BAIXO ativo) para todas as 8 fases do registro de deslocamento.

o registro de armazenamento tem 8 3 saídas paralelas do condutor de ônibus do estado. Dados no registro de armazenamento

parece na saída sempre que a saída permite a entrada (OE) é BAIXA

2. Características

■Atrasos de propagação equilibrados

■Todas as entradas têm a ação do Schmitt-disparador

■As entradas aceitam tensões mais altamente de VCC

■Níveis entrados:

◆O 74AHC595 opera-se com níveis de entrada do CMOS

◆O 74AHCT595 opera-se com níveis de entrada de TTL

■Proteção do ESD:

◆HBM JESD22-A114E excede 2000 V

◆O milímetro JESD22-A115-A excede 200 V

◆CDM JESD22-C101C excede 1000 V

■Opções múltiplas do pacote

■Especificado do °C −40 ao °C +85 e do °C −40 ao °C +125

3. Aplicações

■conversão de dados De série-à-paralela

■Registro guardando de controle remoto

4. Informação pedindo

Tipo número Pacote
Variação da temperatura Nome Descrição Versão
74AHC595
74AHC595D

°C −40 ao °C +125

SO16

pacote pequeno plástico do esboço; 16 ligações; corpo

largura 3,9 milímetros

SOT109-1
74AHC595PW

°C −40 ao °C +125

TSSOP16 pacote pequeno do esboço do psiquiatra fino plástico; 16 ligações; largura do corpo 4,4 milímetros SOT403-1
74AHC595BQ

°C −40 ao °C +125

DHVQFN16

a em-linha dupla plástica térmico compatível aumentou o pacote liso do quadrilátero muito fino; nenhumas ligações; 16 terminais; × 3,5 ×0.85mm do corpo 2,5

SOT763-1

5. Diagrama funcional

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