100V 80A, transistor do Mosfet do poder 9mз qualificado à capacidade FDB3632 da CEA Q101 UIS
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-canal 100 V 12A (Ta), (Tc) 310W (Tc) ² PAK da montagem D da superfície 80A (TO-263)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Drene à tensão da fonte:
100 V
Porta à tensão da fonte:
±20 V
Contínuo (T 80 A.A. < 111oC, VGS = 10V):
80A
Contínuo (Tamb = 25oC, VGS = 10V, RθJA = 43oC/W):
12 A
Única energia da avalancha do pulso (nota 1):
393 mJ
Dissipação de poder:
310 w
Destaque:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introdução
FDB3632/FDP3632/FDI3632
MOSFET 100V de PowerTrench® do N-canal, 80A, 9mΩ
Características
• RDS (SOBRE) = 7.5mΩ (tipo.), VGS = 10V, identificação = 80A
• Qg (pequeno) = 84nC (tipo.), VGS = 10V
• Baixo Miller Charge
• Baixo diodo do corpo de QRR
• Capacidade de UIS (único pulso e pulso repetitivo)
• Qualificado ao tipo desenvolvente 82784 da CEA Q101 anteriormente
Aplicações
• Conversores de DC/DC e UPS autônomo
• Arquiteturas distribuídas e VRMs do poder
• Interruptor preliminar para os sistemas 24V e 48V
• Retificador síncrono de alta tensão
• Injeção direta/sistemas de injeção diesel
• controle de carga 42V automotivo
• Sistemas eletrônicos do trem de válvula
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