O transistor de uso geral do Mosfet do poder (silicone) de NPN Pb−Free empacota MMBT3904LT1G
Especificações
Tensão de Collector−Emitter:
40 VDC
Tensão de Base do Coletor:
60 VDC
Tensão de Emitter−Base:
6,0 VDC
− da corrente de coletor contínuo:
mAdc 200
Temperatura da junção e de armazenamento:
−55 ao °C +150
Destaque:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introdução
Transistor de uso geral
Silicone de NPN
AVALIAÇÕES MÁXIMAS
Avaliação | Símbolo | Valor | Unidade |
Tensão de Collector−Emitter | VCEO | 40 | VDC |
Tensão de Collector−Base | VCBO | 60 | VDC |
Tensão de Emitter−Base | VEBO | 6,0 | VDC |
− da corrente de coletor contínuo | IC | 200 | mAdc |
CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS
Característica | Símbolo | Máximo | Unidade |
Placa total da dissipação FR−5 do dispositivo (Nota 1) @TA = 25°C Derate acima de 25°C |
Paládio | 225 1,8 | mW mW/°C |
Resistência térmica, Junction−to−Ambient | RJA | 556 | °C/W |
Alumina total da dissipação do dispositivo Carcaça, (nota 2) @TA = 25°C Derate acima de 25°C |
Paládio |
300 2,4 |
mW mW/°C |
Resistência térmica, Junction−to−Ambient | RJA | 417 | °C/W |
Temperatura da junção e de armazenamento | TJ, Tstg | −55 a +150 | °C |
Teste do pulso: Largura de pulso 300 s, ciclo de dever 2,0%. F
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