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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Interruptor rápido da pegada ultra baixa do MOSFET SOT-23 do P-canal do MOSFET do poder da Em-resistência HEXFET IRLML6402TRPBF

Interruptor rápido da pegada ultra baixa do MOSFET SOT-23 do P-canal do MOSFET do poder da Em-resistência HEXFET IRLML6402TRPBF

Interruptor rápido da pegada ultra baixa do MOSFET SOT-23 do P-canal do MOSFET do poder da Em-resistência HEXFET IRLML6402TRPBF
Interruptor rápido da pegada ultra baixa do MOSFET SOT-23 do P-canal do MOSFET do poder da Em-resistência HEXFET IRLML6402TRPBF
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem Micro3™/SOT-23 da superfície 1.3W do P-canal 20 V 3.7A (Ta) (Ta)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão da fonte do dreno:
-20 V
Corrente contínua do dreno, VGS @ -4.5V:
-3,7 A
Corrente contínua do dreno, VGS @-4.5V:
-2,2 A
Corrente pulsada do dreno ?:
-22 A
Dissipação de poder:
1,3 W
Destaque:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introdução

?????? HEXFET? MOSFET T do poder

* Em-resistência ultra baixa

* MOSFET do P-canal

* pegada SOT-23

* perfil baixo (<1>

* disponível na fita e no carretel

* interruptor rápido?????

Estes MOSFETs do P-canal do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - o baixo onresistance pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET® são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso na gestão da bateria e da carga.

Um grande leadframe termicamente aumentado da almofada foi incorporado no pacote SOT-23 padrão para produzir um MOSFET do poder de HEXFET com a pegada a menor da indústria. Este pacote, dublou o Micro3™, é ideal para as aplicações onde o espaço da placa de circuito impresso está em um prêmio. O perfil baixo (<1>

Parâmetro Máximo. Unidades
VDS Tensão da fonte do dreno -20 V
Identificação @ TA = 25°C Corrente contínua do dreno, VGS @ -4.5V -3,7
Identificação @ TA= 70°C Corrente contínua do dreno, VGS @ -4.5V -2,2
IDM Corrente pulsada do dreno? -22
Paládio @TA = 25°C Dissipação de poder 1,3 W
Paládio @TA = 70°C Dissipação de poder 0,8
Fator Derating linear 0,01 W/°C
EAS Única energia da avalancha do pulso? 11 mJ
VGS Tensão da Porta-à-fonte ± 12 V

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