Transistor novo & original do Mosfet do poder (−100V, −2A) 2SB1316
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Transistor (BJT) bipolar PNP - DarliCM GROUPon 100 V 2 uma montagem de superfície CPT3 de 50MHz 10 W
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão da Coletor-base:
-100 V
tensão do Coletor-emissor:
-100 V
tensão da Emissor-base:
- 8 V
TEMPERATURA DE JUNÇÃO:
150°C
Temperatura de armazenamento:
-55 a +150°C
Corrente de coletor:
-2 A (C.C.)
Destaque:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introdução
Transistor de poder (−100V, −2A) 2SB1580/2SB1316
Características
1) Conexão de DarliCM GROUPon para o ganho atual alto de C.C.
2) Resistor incorporado entre a base e o emissor.
3) Diodo mais úmido incorporado.
4) Complementa o 2SD2195/2SD1980.
Dimensões externos (unidade: milímetro)
Avaliações máximas absolutas (Ta = 25°C)
| Parâmetro | Símbolo | Limites | Unidade | |
| tensão da Coletor-base | VCBO | -100 | V | |
| tensão do Coletor-emissor | VCEO | -100 | V | |
| tensão da Emissor-base | VEBO | -8 | V | |
| Corrente de coletor | IC | -2 | (C.C.) | |
| -3 | A (pulso) ∗1 | |||
| Dissipação de poder do coletor | 2SB1580 | PC | 2 | W ∗2 |
| 2SB1316 | 1 | |||
| 10 | W (Tc=25°C) | |||
| Temperatura de junção | Tj | 150 | °C | |
| Temperatura de armazenamento | Tstg | -55 a +150 | °C | |
∗1 único pulso Pw=100ms
∗2 quando montou em uma placa cerâmica de 40 x 40 x 0,7 milímetros.
Especificações e hFE de empacotamento
| Tipo | 2SB1580 | 2SB1316 |
| Pacote | MPT3 | CPT3 |
| hFE | 1k a 10k | 1k a 10k |
| Marcação | BN∗ | -- |
| Código | T100 | TL |
| Unidade pedindo básica (partes) | 1000 | 2500 |
O ∗ denota o hFE
Curva de características elétrica
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