GaAs novo & original Ired do transistor do Mosfet do poder TLP734 & transistor da foto
power mosfet ic
,silicon power transistors
Photocoupler GaAs Ired&Photo−Transistor de TOSHIBA
TLP733, TLP734
Máquina de escritório
Equipamento do uso do agregado familiar
Relé de circuito integrado
Fonte de alimentação de comutação
TOSHIBA TLP733 e TLP734 consiste em um photo−transistor acoplado opticamente a um diodo emitindo-se infravermelho do arsenieto de gálio no MERGULHO plástico de seis ligações.
TLP734 é conexão interna do no−base para ambientes do high−EMI.
- Tensão de Collector−emitter: 55 V (mínimos)?
- Relação de transferência atual: 50% (mínimo)
- Grau GB: 100% (mínimo)?
- O UL reconheceu: UL1577, no. E67349 do arquivo?
- O BSI aprovou: BS EN60065: 1994
- No. 7364 do certificado
- BS EN60950: 1992
- No. 7365 do certificado?
- SEMKO aprovou: SS4330784
- No. 9325163 do certificado, 9522142?
- Tensão do isolamento: 4000 Vrms (mínimo)?
- Tipo da opção (D4)
- O VDE aprovou: RUÍDO VDE0884/06,92,
- No. 74286 do certificado, 91808
- Tensão de funcionamento máxima da isolação: 630, 890 VPK
- O mais altamente permissível sobre a tensão: 6000, 8000 VPK
- O VDE aprovou: RUÍDO VDE0884/06,92,
(Nota) quando um VDE0884 aprovou o tipo é necessário, designa por favor a “opção (D4)”
passo de 7,62 milímetros passo de 10,16 milímetros
corrente Tipo de TLP×××F?
Distância de dispersão : 7,0 milímetros (mínimo) 8,0 milímetros (mínimo)
Afastamento : 7,0 milímetros (mínimo) 8,0 milímetros (mínimo)
Trajeto interno da dispersão : 4,0 milímetros (mínimo) 4,0 milímetros (mínimo)
Espessura da isolação : 0,5 milímetros (mínimo) 0,5 milímetros (mínimo)
Avaliações máximas (Ta = 25°C)
| Característica | Símbolo | Avaliação | Unidade | |
| Diodo emissor de luz | Corrente dianteira | SE | 60 | miliampère |
| Derating atual dianteiro (≥ de Ta 39°C) | ∆IF/°C | ? -0,7 | miliampère/°C | |
| Pico para a frente atual (pulso de 100 µs, 100 pps) | IFP | 1 | ||
| Tensão reversa | VR | 5 | V | |
| Temperatura de junção | Tj | 125 | °C | |
| Detector | Coletor? tensão do emissor | VCEO | 55 | V |
| Coletor? tensão baixa (TLP733) | VCBO | 80 | V | |
| Emissor? tensão de coletor | VECO | 7 | V | |
| Emissor? tensão baixa (TLP733) | VEBO | 7 | V | |
| Corrente de coletor | IC | 50 | miliampère | |
| Dissipação de poder | PC | 150 | mW | |
| Dissipação de poder que derating (≥ de Ta 25°C) | ∆PC/°C | -1,5 | mW/°C | |
| Temperatura de junção | Tj | 125 | °C | |
| Variação da temperatura do armazenamento | Tstg | -? 55~125 | °C | |
| Variação da temperatura de funcionamento | Topr | ? -40~100 | °C | |
| Temperatura de solda da ligação (10 s) | Tsol | 260 | °C | |
| Dissipação de poder total do pacote | Pinta | 250 | mW | |
| Dissipação de poder total do pacote que derating (≥ de Ta 25°C) | ∆PT/°C | -2,5 | mW/°C | |
| Tensão do isolamento (C.A., 1 mínimo, R.H.≤ 60%) | BVS | 4000 | Vrms | |
Peso: 0,42 g
Pin Configurations (vista superior)
TLP733
1: Ânodo 2: Cátodo 3: Nc 4: Emissor 5: Coletor 6: Base
TLP734
1: Ânodo 2: Cátodo 3: Nc 4: Emissor 5: Coletor 6: Nc
0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603
filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo
Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F
Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky
Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC