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MOSFET do poder do transistor do Mosfet do poder de BSS138LT1G 200 miliampères, 50 V N−Channel SOT−23

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem SOT-23-3 da superfície 225mW do N-canal 50 V 200mA (Ta) (Ta) (TO-236)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
VDSS:
50 VDC
Vgs:
± 20 VDC
MIM D:
200 miliampères
Paládio:
225 mW
TL:
°C 260
Destaque:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introdução

MOSFET do poder 200 miliampères, 50 V N−Channel SOT−23

As aplicações típicas são os conversores de DC−DC, gestão do poder em produtos portáteis e battery−powered tais como computadores, impressoras, de cartões de PCMCIA os telefones, celulares e sem corda.

Características

• Os pacotes de Pb−Free estão disponíveis

• Baixa tensão do ponto inicial (VGS (th):

0,5 V−1.5 V) fazem ideal para aplicações da baixa tensão

• O pacote de superfície diminuto da montagem SOT−23 salvar o espaço da placa

NOTAS:

1. CÁLCULO DE DIMENSÕES E TOLERANCING POR ANSI Y14.5M, 1982.

2. DIMENSÃO DE CONTROLO: POLEGADA.

3. A ESPESSURA MÁXIMA DA LIGAÇÃO INCLUI A ESPESSURA DO REVESTIMENTO DA LIGAÇÃO. A ESPESSURA MÍNIMA DA LIGAÇÃO É A ESPESSURA MÍNIMA DA MATÉRIA-PRIMA.

4. 318−03 E −07 OBSOLETOS, 318−08 PADRÃO NOVO.

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta = 25°C salvo disposição em contrário)


Avaliação Símbolo Valor Unidade
Tensão de Drain−to−Source VDSS 50 VDC
− da tensão de Gate−to−Source contínuo VGS ± 20 VDC
Dissipação de poder total @ Ta = 25°C Paládio 225 mW
Variação da temperatura do funcionamento e do armazenamento TJ, Tstg − 55 150 °C
− Junction−to−Ambient da resistência térmica RJA 556 °C/W
Temperatura máxima da ligação para finalidades de solda, por 10 segundos TL 260 °C

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