Transistor NPN do Mosfet do poder BFR520 transistor Wideband de 9 gigahertz
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem de superfície SC-75 do transistor NPN 15V 70mA 9GHz 150mW do RF
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão da Coletor-base:
20 V
tensão do Coletor-emissor:
15 V
Corrente de coletor da C.C.:
70 miliampères
Dissipação de poder total:
300 mW
capacidade de feedback:
0,4 PF
Destaque:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introdução
NPN transistor wideband de 9 gigahertz BFR520
CARACTERÍSTICAS
• Ganho do poder superior
• Figura de baixo nível de ruído
• Frequência alta da transição
• A metalização do ouro assegura a confiança excelente.
DESCRIÇÃO
O BFR520 é um transistor epitaxial planar do silicone do npn, pretendido para aplicações no RF frontend em aplicações wideband na escala do gigahertz, tal como telefones celulares análogos e digitais, os telefones sem corda (CT1, CT2, DECT, etc.), os detectores do radar, os biperes e os afinadores da televisão satélite (SATV) e os amplificadores do repetidor em sistemas fibra-óticos. O transistor é encapsulado em um envelope SOT23 plástico
VALORES DE LIMITAÇÃO
De acordo com o sistema máximo absoluto (IEC 134).
| SÍMBOLO | PARÂMETRO | CIRCUNSTÂNCIAS | MÍNIMO. | MÁXIMO. | UNIDADE |
| VCBO | tensão da coletor-base | emissor aberto | − | 20 | V |
| VCES | tensão do coletor-emissor | RBE = 0 | − | 15 | V |
| VEBO | tensão da emissor-base | coletor aberto | − | 2,5 | V |
| C.C. DE C | corrente de coletor | − | 70 | miliampère | |
| Ptot | dissipação de poder total | até Ts = °C 97; nota 1 | − | 300 | mW |
| Tstg | temperatura de armazenamento | −65 | 150 | °C |
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