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Transistor de efeito de campo do modo do realce do nível da lógica do P-canal do transistor de poder de NDS356AP

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem SOT-23-3 da superfície 500mW do P-canal 30 V 1.1A (Ta) (Ta)
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão da Dreno-fonte:
-30 V
Tensão da Porta-fonte - contínua:
±20 V
Corrente máxima do dreno - contínua (:
±1.1 A
Dissipação de poder máxima:
0,5 W
Variação da temperatura do funcionamento e do armazenamento:
°C -55 a 150
Destaque:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introdução

Transistor de efeito de campo do modo do realce do nível da lógica do P-canal de NDS356AP


Descrição geral

Os transistor de efeito de campo do poder do modo do realce do nível da lógica do P-canal SuperSOTTM-3 são produzidos usando Fairchild proprietária, densidade de pilha alta, tecnologia de DMOS. Este processo mesmo do alto densidade é costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado. Estes dispositivos são seridos particularmente para aplicações da baixa tensão tais como a gestão do poder do laptop, a eletrônica portátil, e outros circuitos a pilhas onde o interruptor rápido do alto-lado, e a baixa em-linha perda de poder são necessários em um pacote muito pequeno da montagem da superfície do esboço.

Características

-1,1 A, -30 V, RDS (SOBRE) = 0,3 W @ VGS=-4.5 V

RDS (SOBRE) = 0,2 W @ VGS=-10 V.

►Pacote de superfície da montagem do esboço SOT-23 do padrão do setor

usando o projeto SuperSOTTM-3 proprietário para térmico superior

e capacidades elétricas.

►Projeto da pilha do alto densidade para extremamente - o baixo RDS (SOBRE).

►Em-resistência excepcional e capacidade atual máxima da C.C.

Avaliações máximas absolutas Ta = 25°C salvo disposição em contrário

Símbolo Parâmetro NDS356AP Unidades
VDSS Tensão da Dreno-fonte -30 V
VGSS Tensão da Porta-fonte - contínua ±20 V
Identificação Corrente máxima do dreno - contínua ±1.1
Paládio Dissipação de poder máxima 0,5 W
TJ, TSTG Variação da temperatura do funcionamento e do armazenamento -55 a 150 °C

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