Transistor P do mosfet do poder superior SI2301CDS-T1-E3 - MOSFET do canal 20-V (D-S)
fabricante:
Fabricante
Descrição:
P-canal 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), (Tc) montagem SOT-23-3 da superfície 1.6W (TO-236)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Vds:
- 20 V
Vgs:
± 8 V
Identificação:
-3,1 A
DM:
- 10 A
é:
-3,1 A
Destaque:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introdução
SI2301CDS - T1 - transistor P do mosfet do poder superior E3 - MOSFET do canal 20-V (D-S)
MOSFET do P-canal 20-V (D-S)
CARACTERÍSTICAS
• opção Halogênio-livre disponível
• MOSFET do poder de TrenchFET®
APLICAÇÕES
• Interruptor da carga
| SUMÁRIO DO PRODUTO DO MOSFET | |||
| VDS (v) | RDS (sobre) (Ω) | Identificação (A) a | Qg (tipo.) |
| - 20 | 0,112 em VGS = - 4,5 V | - 3,1 | 3,3 nC |
| 0,142 em VGS = - 2,5 V | - 2,7 | ||
°C TÍPICO das CARACTERÍSTICAS 25, salvo disposição em contrário
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