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Transistor do Mosfet do poder PMBT2222AYS115, mosfet de comutação do poder de PHILIPS NPN

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Matriz de transistores bipolares (BJT)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
LP:
Cristal da baixa potência
XT:
Cristal/ressonador
HS:
Cristal/ressonador de alta velocidade
HSPLL:
O cristal/ressonador de alta velocidade com PLL permitiu
RC:
Resistor externo/capacitor com saída FOSC/4 em RA6
Destaque:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introdução

Transistor de interruptor de NPN


CARACTERÍSTICAS

• Atual alto (máximo 600 miliampères)

• Baixa tensão (máximo 40 V).

APLICAÇÕES

• Interruptor e amplificação linear.

DESCRIÇÃO

Transistor de interruptor de NPN em um pacote SOT23 plástico. PNP complementa: PMBT2907 e PMBT2907A.

MARCAÇÃO

TIPO NÚMERO CÓDIGO DE MARCAÇÃO (1)
PMBT2222 *1B
PMBT2222A *1P

NEGAÇÕES

General

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Direito de fazer mudanças

Os semicondutores do ⎯ reservam o direito de fazer mudanças à informação publicada neste documento, incluindo sem especificações da limitação e descrições do produto, a qualquer hora e sem aviso prévio. Este documento substitui e substitui toda a informação fornecida antes da publicação disto.

Conformidade para o uso

Os produtos de semicondutores do ⎯ não são projetados, são autorizados ou não justificados ser apropriados para o uso no equipamento médico, militar, dos aviões, do espaço ou da manutenção das funções vitais, nem nas aplicações onde a falha ou o mau funcionamento de um produto de semicondutores de podem razoavelmente ser esperados conduzir aos ferimentos pessoais, morte ou propriedade ou dano ao meio ambiente severo. Os semicondutores de não aceitam nenhuma responsabilidade para a inclusão e/ou o uso de produtos de semicondutores de em tais equipamento ou aplicações e consequentemente tais inclusão e/ou uso está em próprio risco do cliente.

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