O módulo do mosfet do poder MRF9030GNR1 põe TRANSISTOR de EFEITO de CAMPO do PODER do RF do transistor do Mosfet
power mosfet ic
,silicon power transistors
A linha submicrónica do MOSFET do RF
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DO PODER DO RF
MOSFETs laterais do Realce-modo do N-canal
945 megahertz, 30 W, 26 MOSFETs DE FAIXA LARGA do PODER do RF do N-CANAL da LATERAL de V
Projetado para aplicações comerciais e industriais de faixa larga com frequências até 1,0 gigahertz. O ganho alto e o desempenho de faixa larga destes dispositivos fazem-nos ideais para o grande-sinal, aplicações do amplificador da comum-fonte no equipamento da estação base de 26 volts.
• Dois típicos Tone Performance em 945 megahertz, 26 volts
Potência de saída — 30 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 19
Eficiência — 41,5%
IMD — – dBc 32,5
• Proteção integrada do ESD
• Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserção
• Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 26 VDC, 945 megahertz, 30 watts de CW potência de saída
• Estabilidade térmica excelente
• Caracterizado com parâmetros equivalentes da impedância do Grande-sinal da série
• Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros, carretel de 13 polegadas.
AVALIAÇÕES MÁXIMAS
Avaliação | Símbolo | Valor | Unidade |
Tensão da Dreno-fonte | VDSS | 68 | VDC |
Tensão da Porta-fonte | VGS | – 0,5, +15 | VDC |
Dissipação total do dispositivo @ TC = 25°C MRF9030R1 Derate acima de 25°C |
Paládio |
92 0,53 |
Watts W/°C |
Dissipação total do dispositivo @ TC = 25°C MRF9030SR1 Derate acima de 25°C |
Paládio |
117 0,67 |
Watts W/°C |
Variação da temperatura do armazenamento | Tstg | – 65 a +200 | °C |
Temperatura de junção de funcionamento | TJ | 200 | °C |
DIMENSÕES DO PACOTE
Oferta conservada em estoque (venda quente)
Número da peça. | Q'ty | MFG | D/C | Pacote |
BFU710F | 15000 | 15+ | SOT-343 | |
PIC16F526-I/SL | 5193 | MICROCHIP | 16+ | CONCESSÃO |
LM810M3X-4.63 | 10000 | NSC | 15+ | SOT-23-3 |
M95020-WMN6TP | 10000 | ST | 16+ | CONCESSÃO |
M93S46-WMN6 | 4686 | ST | 10+ | CONCESSÃO |
MCT61 | 10000 | FSC | 16+ | DIP-8 |
MAX809LEUR+T | 10000 | MÁXIMA | 16+ | ÉBRIO |
52271-2079 | 3653 | MOLEX | 15+ | conector |
ZVP3306FTA | 9000 | ZETEX | 15+ | SOT23 |
MBR10100G | 15361 | EM | 16+ | TO-220 |
NTR2101PT1G | 38000 | EM | 16+ | SOT-23 |
MBRD640CTT4G | 17191 | EM | 16+ | TO-252 |
NTR4501NT1G | 38000 | EM | 15+ | SOT-23 |
LM8272MMX | 1743 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
NDT014 | 10000 | FAIRCHILD | 14+ | SOT-223 |
LM5007MM | 1545 | NSC | 14+ | MSOP-8 |
NRF24L01+ | 3840 | NÓRDICO | 10+ | QFN |
MI1210K600R-10 | 30000 | COMISSÁRIO DE BORDO | 16+ | SMD |
A3144E | 25000 | ALLEGRO | 13+ | TO-92 |
MP3V5004DP | 5784 | FREESCALE | 13+ | CONCESSÃO |

0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC
