N - Canal 600 V 2,0? Transistor NDD04N60ZT4G do Mosfet do poder superior do rf do ohm
power mosfet ic
,multi emitter transistor
N - Canal 600 V 2,0? Transistor NDD04N60ZT4G do Mosfet do poder superior do rf do ohm
Características
• Baixo na resistência
• Baixa carga da porta
• Porta do ESD Diode−Protected
• A avalancha 100% testou
• Estes dispositivos são Pb−Free, halogênio Free/BFR livre e são RoHS complacente
NOTAS:
1. CÁLCULO DE DIMENSÕES E TOLERANCING POR ASME Y14.5M, 1994. 2. DIMENSÃO DE CONTROLO: POLEGADAS.
3. CONTORNO TÉRMICO da ALMOFADA OPCIONAL DENTRO DAS DIMENSÕES b3, L3 e Z.
4. AS DIMENSÕES D E E NÃO INCLUEM O FLASH, AS SALIÊNCIAS, OU AS REBARBAS DO MOLDE. O FLASH DO MOLDE, AS SALIÊNCIAS, OU AS REBARBAS DA PORTA NÃO EXCEDERÃO 0,006 POLEGADAS POR O LADO.
5. AS DIMENSÕES D E E SÃO DETERMINADAS NOS EXTREMOS ULTRAPERIFÉRICOS DO CORPO PLÁSTICO.
6. DATUMS A E B SÃO DETERMINADOS NO PLANO DE REFERÊNCIA H.
LISTA CONSERVADA EM ESTOQUE
OP07CSZ | 10000 | ANÚNCIO | 16+ | CONCESSÃO |
Z84C0010VEG | 450 | ZILOG | 08+ | PLCC-44 |
LM7805AZ | 10000 | WST | 15+ | TO-252 |
MJE18008G | 68000 | EM | 16+ | TO-220 |
MAX3241EUI+T | 1850 | MÁXIMA | 16+ | TSSOP |
MT48LC4M16A2B4-6AIT: J | 7282 | MÍCRON | 14+ | FBGA |
MBM29F800BA-70PFTN | 14812 | FUJITSU | 14+ | TSSOP |
MR4030 | 6267 | SHINDENGE | 14+ | TO220-7 |
MS1649 | 6512 | CAM | 16+ | CAN-3 |
LTM8032EV | 843 | LINEAR | 14+ | LGA |
MAX9917EUB | 11518 | MÁXIMA | 16+ | MSOP |
BTA208-800B | 10000 | 14+ | TO-220 | |
6MBP75RA060 | 453 | FUJI | 15+ | MÓDULO |
XL6005E1 | 2000 | XLSEMI | 15+ | TO252-5L |
LM565H | 356 | NSC | 14+ | CAN-10 |
MG15N6ES42 | 616 | TOSHIBA | 15+ | MÓDULO |
BH3854AS | 450 | ROHM | 12+ | DIP-32 |
XC3S1500-5FGG456C | 200 | XILINX | 11+ | BGA |
NJM4558L | 30000 | JRC | 16+ | SIP-8 |
LA1823 | 3994 | SANYO | 16+ | DIP-24 |
PCA82C250T | 11860 | 16+ | CONCESSÃO | |
P1553ABL | 8700 | LITTELFUS | 16+ | TO-220 |
PIC32MX795F512L-80I/PF | 1500 | MICROCHIP | 15+ | TQFP-100 |
MC7805CDTRK | 10000 | EM | 16+ | ÉBRIO |
LM4755T | 975 | NSC | 14+ | TO-263 |
M93C06-MN6T | 10000 | ST | 16+ | CONCESSÃO |
NAND128W3A2BN6E | 5680 | ST | 16+ | TSOP |
PMEG3005EH | 25000 | 15+ | SOD-123 | |
LA4270 | 2641 | SANYO | 15+ | ZIP-10 |
BTB24-600BWR | 3389 | ST | 14+ | TO-220 |
PKG4428PI | 80 | ERICSSON | 02+ | SMD |
LTC4252-2IMS | 6402 | LINEAR | 15+ | MSOP-10 |
LA4445 | 6010 | SANYO | 15+ | SIP-12 |
PN100 | 5000 | FSC | 16+ | TO-92 |
MAT01GH | 2200 | ANÚNCIO | 15+ | LATA |
MIW3023 | 404 | MINMAX | 16+ | MERGULHO |
ATXMEGA64A3-AU | 500 | ATMEL | 10+ | QFP64 |
ATXMEGA64A1-AU | 1000 | ATMEL | 12+ | TQFP100 |
LM2841XMKX-ADJ | 3000 | SI | 14+ | TSOT-23-6 |
LTC2250CUH | 1655 | LINEAR | 14+ | QFN |

0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC
