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Transistor planar complementar do silicone NPN RF dos circuitos integrados da eletrônica de BFQ67W SOT-23

Transistor planar complementar do silicone NPN RF dos circuitos integrados da eletrônica de BFQ67W SOT-23
Transistor planar complementar do silicone NPN RF dos circuitos integrados da eletrônica de BFQ67W SOT-23
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem de superfície SC-70 do transistor NPN 10V 50mA 8GHz 300mW do RF
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Variação da temperatura:
– 65°C a +150°C
termo do pagamento:
T/T, Paypal, Western Union
Tensão:
2.5V
Atual:
50mW
Pacote:
SOT-23
Pacote da fábrica:
3000PCS/Reel
Destaque:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introdução

Transistor planar complementar do silicone NPN RF dos circuitos integrados da eletrônica de BFQ67W SOT-23

Características

• Capacidade de feedback pequena

• Figura de baixo nível de ruído

• Frequência alta da transição

• Ligação (Pb) - componente livre

• Componente do acordo a RoHS 2002/95/EC e WEEE 2002/96/EC

Aplicações

Amplificadores pequenos de baixo nível de ruído do sinal até 2 gigahertz. Este transistor tem a figura de ruído superior e desempenho associado do ganho em frequências da frequência ultraelevada, do VHF e de micro-ondas.

Tipo de dados mecânico:

Caso BFQ67: Peso da capa de plástico SOT-23: marcação do magnésio aproximadamente 8,0: Fixar V2: 1 = coletor, 2 = base, 3 = tipo do emissor: Caso de BFQ67R: Peso da capa de plástico SOT-23: marcação do magnésio aproximadamente 8,0: Fixar R67: 1 = coletor, 2 = base, 3 = tipo do emissor: Caso de BFQ67W: Peso da capa de plástico SOT-323: marcação do magnésio aproximadamente 6,0: Fixar WV2: 1 = coletor, 2 = base, 3 = emissor

Avaliações máximas absolutas

Tamb = °C 25 salvo disposição em contrário

Parâmetro Sybol Valor Unidade
tensão da Coletor-base VCBO 20 V
tensão do Coletor-emissor VCEO 10 V
tensão da Emissor-base VEBO 2,5 V
Corrente de coletor IC 50 miliampère
Dissipação de poder total Ptot 200 mW
Temperatura de junção Pj 150 °C
Variação da temperatura do armazenamento Tstg -65 a +150 °C

Uma parte da lista conservada em estoque

DS18B20+ MÁXIMA 1603 TO-92
BTA41-800BRG STM 628 TO-247
IRF740 IR 508D TO-220
FT231XS-R FTDI 1605 SSOP-20
K9F1G08UOD-SCBO SAMSUNG 549 TSOP-48
B39440-X6764-N201 EPSON 2874 SIP-5
LM3578AM NSC CSRC SOP-8
MAX489CPD MÁXIMA 1618 DIP-14
AT89C2051-24PU ATMEL 1506 DIP-20
FR2J PANJIT 1628 SMB
UF5408 VISHAY 1632 DO-201
SMAJ250A LITTLEFUSE 16H128 SMA
DS1603 Dallas 9944A1/102795 DIP-7
93LC86C-I/SN MICROCHIP 1243 SOP-8
SMF3.3.TCT SEMTECH 1622/F03 SC70-5
DS1338Z-33+TR MÁXIMA 1630A3 SOP-8
GQM1885C1H150GB01D MURATA IA6903WR4 SMD0603
C0402C222K5RACTU KEMET 1603 SMD0402
GCM155R71H223KA55D MURATA IA6903WR4 SMD0402
C1608X5R1A475K080AC TDK IB16C15763SD SMD0603
C0402C473K9RACTU KEMET 1622 SMD0402
C0402C472K5RACTU KEMET 1603 SMD0402
CC0805KKX7R6BB106 YAGEO 1618 SMD0805
GRM31CR61E226KE15L MURATA IA6903WR4 SMD1206
CC0402KRX7R7BB103 YAGEO 1618 SMD0402
CC0603JRNP09BN120 YAGEO 1618 SMD0603
CC0603KRX5R8BB105 YAGEO 1618 SMD0603
RC0603FR-0715KL YAGEO 1636 SMD0603
RC0603FR-07232RL YAGEO 1619 SMD0603
RC0603FR-07240KL YAGEO 1617 SMD0603
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