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Transistor de poder complementares do mosfet do poder duplo de alta tensão de MJD42CG

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Transistor (BJT) bipolar PNP 100 V 6 uma montagem 1,75 de superfície de 3MHz W DPAK
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
VCEO:
100 VDC
VCB:
100 VDC
VEB:
5 CAD
IB:
2 CAD
Paládio:
20 W
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução


Transistor de poder complementares do mosfet do poder duplo de alta tensão de MJD42CG




DPAK para as aplicações de superfície da montagem

Projetado para o amplificador de uso geral e de baixa velocidade

aplicações de comutação.




Características
• Ligação formada para as aplicações de superfície da montagem nas luvas plásticas (nenhum sufixo)
• Versão reta da ligação nas luvas plásticas (“1" sufixo)
• Eletricamente similar à série TIP41 e TIP42 popular
• Construção monolítica com os resistores baixos do emissor do − de Built−in
• A cola Epoxy encontra UL 94 V−0 @ 0,125 dentro
• Avaliações do ESD: Modelo do corpo humano, modelo de máquina de 3B 8000 V, C 400 V
• Os pacotes de Pb−Free estão disponíveis

CARACTERÍSTICAS TÍPICAS

LISTA CONSERVADA EM ESTOQUE


M30620FCAFP3750RENESAS16+QFP
BT148W-600R1000014+TO220
MAX4312EEE+T3600MÁXIMA14+QSOP
LTC1967CMS81628LINEAR15+MSOP
PM200CLA120100MITSUBISH05+MOUDLE
MAX5160MEUA14950MÁXIMA16+MSOP
P89C51RC+JB1140PHILIPS15+QFP
MC68CK16Z1CAG163682FREESCALE15+QFP
PBY201209T-601Y-S20000YAGEO16+SMD
PACDN046M10620CMD16+MSOP8
XQ18V04VQ44N890XILINX14+QFP44
MAX17126BETM6650MÁXIMA15+QFN
CY20AAJ-8F500MIT10+SOP-8
LME49720MA2428NSC14+SOP-8
BL05A888EM12+SOP-8
BT48302322CRESCIMENTO15+FECHO DE CORRER
BLF27811212+SOT-262
M51996AFP3334RENESAS16+CONCESSÃO
M25PE20-VMN6TP4331ST16+CONCESSÃO
MB81F643242B-10FN6418FUJI15+TSSOP
MPC5200CVR400B588FREESCALE14+BGA
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