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Eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do transistor do Mosfet do poder de IRLR2905TRPBF TO-252

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem D-Pak da superfície 110W do N-canal 55 V 42A (Tc) (Tc)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Variação da temperatura:
-55°C a +175°C
termo do pagamento:
T/T, Paypal, Western Union
Tensão:
± 16 V
Atual:
25A
Pacote:
TO-252
Pacote da fábrica:
Carretel
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

Eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do transistor do Mosfet do poder de IRLR2905TRPBF TO-252

IRLR2905TRPBF

±15kV ESD protegeu, +3V a +5.5V, 1Microamp, 250kbps, transmissores RS-232/receptores

Movimentação da porta do Lógica-nível?

Em-resistência ultra baixa?

Montagem de superfície (IRLR2905)?

Ligação reta (IRLU2905)?

Tecnologia de processamento avançada

Interruptor rápido? Inteiramente avalancha avaliada

Sem chumbo

Descrição

A quinta geração HEXFETs do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir a mais baixa em-resistência possível pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente para o uso em uma grande variedade de aplicações. O D-PAK é projetado para a montagem de superfície usando a fase de vapor, o infravermelho, ou técnicas de solda da onda. A versão reta da ligação (série de IRFU) é para o através-furo que monta aplicações. Os níveis da dissipação de poder até 1,5 watts são possíveis em aplicações de superfície típicas da montagem.

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??????????????? ????????????? Maxim Rating absoluto

Corrente contínua do dreno TC = 25°C, identificação 10V 42 de VGS @ @ TC = 100°C

Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V 30 A

IDM pulsados drenam paládio 160 atual @TC = 25°C

Derating linear de W da dissipação de poder 110 fatora 0,71 W/°C

± 16 V da tensão da Porta-à-fonte de VGS

Energia da avalancha do pulso de EAS única? 210 mJ

Corrente 25 da avalancha de IAR uma ORELHA repetitiva

Recuperação dv/dt do diodo do pico do mJ dv/dt da energia 11 da avalancha? 5,0 V/ns

Junção de funcionamento e -55 de TJ + a 175

Variação da temperatura do armazenamento de TSTG

Temperatura de solda, para 10 o °C dos segundos 300 (1.6mm do caso)

Uma parte da lista conservada em estoque

INDUTOR 2.2UH NLFC322522T-2R2M-PF TDK Y6438385HU SMD3225
INDUTOR 10UH NLFC322522T-100K-PF TDK Y643780LHU SMD3225
C.I LTC3406ES5-1.8TRPBF LINEAR LTC4 SOT23-5
C.I LTC3406ES5-1.5TRPBF LINEAR LTD6 SOT23-5
C.I SN74HC273DWR SI 87D71RK/85FKF2K SOP-20
RES 0R 5%
RC0805JR-070RL
YAGEO 1645 SMD0805
RES 49R9 1%
RC0805FR-0749R9L
YAGEO 1639 SMD0805
RES 6K8 1%
RC0805FR-076K8L
YAGEO 1633 SMD0805
RES 0R 5%
RC0603JR-070RL
YAGEO 1645 SMD0603
TAMPÃO 0805 10UF 16V X5R CL21A106KOQNNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD0805
DIODO B330A-13-F DIODOS 1522/B330A SMA
C.I MM74C922N FAC BH56AB DIP-18
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
C.I CD4052BM96 SI 69P1HQA SOP-16
RES 1210 220R 5% RC1210JR-07220RL YAGEO 1633 SMD1210
RES 1210 330R 5% RC1210JR-07330RL YAGEO 1641 SMD1210
TAMPÃO 0805 100NF 16V X7R 0805YC104KAT2A AVX 1622 SMD0805
RES 0805 1K5 1%
RC0805FR-071K5L
YAGEO 1641 SMD0805
RES 0805 3K3 1%
RC0805FR-073K3L
YAGEO 1641 SMD0805
C.I SN74LS373N SI 1606+5 DIP-20
OPTOACOPLADOR 4N25M FSC 629Q DIP-6
RES 0805 4K7 5%
RC0805JR-074K7L
YAGEO 1642 SMD0805
RES 0805 4K99 1%
RC0805FR-074K99L
YAGEO 1643 SMD0805
RES 0805 75R 1%
RC0805FR-0775RL
YAGEO 1643 SMD0805
NPO 08055A221JAT2A do TAMPÃO 0805 220PF 50V AVX 1633 SMD0805
C.I SSD1961G40 SOLOMON L045AF BGA40
C.I LM336D-2.5 SI 336-25/68MA6EG. SOP-8
C.I TPS61041DBVR SI PHPI SOT23-5
DIODO 1N4756A SEMTECH SL0C2P0817Z185G DO-41
CONVERSOR DE C.I
MCP3201-CI/P
MICROCHIP 1621SOD DIP-8
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