TRIAC sensíveis de Alternistor do transistor do Mosfet do poder da porta dos TRIAC do mosfet CI do poder Q6012LH5
power mosfet ic
,multi emitter transistor
TRIAC de Alternistor (6 à 40 A)
Descrição geral
Teccor oferece alternistors bidirecionais com avaliações atuais de 6 à 40 A e tensões de 200 V a 1000 V como parte da linha larga de Teccor de tiristores. O alternistor de Teccor é projetado especificamente para as aplicações que comutam cargas altamente indutivas. Uma microplaqueta especial oferece o mesmo desempenho que uma paralela inversa prendida de dois tiristores (SCR) (lado a lado), fornecendo o melhor comportamento da volta-fora do que um TRIAC padrão. Um alternistor pode ser provocado de uma obstrução ao estado da condução para uma ou outra polaridade de tensão AC aplicada com modos de funcionamento nos quadrantes I, II, e III.
Esta construção nova da microplaqueta fornece duas eletricamente estruturas separadas do SCR, fornecendo características aumentadas de dv/dt ao reter as vantagens de um dispositivo da único-microplaqueta.
Todos os alternistors vidro-passivated junções para assegurar a estabilidade a longo prazo da confiança e do parâmetro. As junções vidro-passivated de Teccor oferecem uma barreira segura contra a contaminação da junção.
O pacote do TO-218X de Teccor é projetado para a capacidade powerhandling pesada, constante. Caracteriza grandes terminais do ilhó para a facilidade de soldar o fio pesado da conexão do calibre. Todos os pacotes isolados têm uma avaliação padrão da tensão do isolamento de 2500 V rms.
As variações dos dispositivos cobertos nesta folha de dados estão disponíveis para projetam aplicações. Consulte a fábrica para mais informações.
Características
• Capacidade alta da corrente de impulso
• junções Vidro-passivated
• Isolamento da C.A. de 2500 V para pacotes de L, de J, e de K
• Dv/dt comutando alto
• Dv/dt estático alto
Condições de teste
di/dt — Taxa--mudança máxima da corrente do em-estado
dv/dt — Taxa--elevação crítica da tensão do fora-estado na porta avaliado de VDRM aberta
dv/dt (c) — Taxa--elevação crítica da tensão da comutação em VDRM avaliado e em TI (RMS) que comutam di/dt = as 0,54 TI avaliados (RMS) /ms; porta unenergized
I 2 t — Em-estado (não-repetitivo) do impulso do RMS atual para um período da Senhora 8,3 para fundir
IDRM — Porta atual do fora-estado máximo aberta; VDRM = valor avaliado máximo
IGT — Disparador da porta da C.C. atual em quadrantes de funcionamento específicos; VD = C.C. de 12 V
IGTM — Corrente máxima do disparador da porta
IH — Corrente de terra arrendada (C.C.); porta aberta
A TI (RMS) — Ângulo atual da condução do em-estado do RMS de 360°
ITSM — Impulso máximo do um-ciclo
PÁGINA (AVOIRDUPOIS) — Dissipação de poder média da porta
PGM — Dissipação de poder máxima da porta; ≦ IGTM DE IGT
tgt — Tempo de ligação controlado da porta; IGT = 300 miliampères com 0,1 vezes de elevação dos µs
VDRM — Tensão de obstrução repetitiva do pico
VGT — Tensão de disparador da porta da C.C.; VD = C.C. de 12 V
VTM — A tensão máxima do em-estado avaliou no máximo a corrente do RMS
0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603
filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo
Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F
Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky
Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC