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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > MOSFET de PowerTrench do P-canal do transistor 30V do Mosfet do poder do mosfet do poder da trincheira de SI4435DY

MOSFET de PowerTrench do P-canal do transistor 30V do Mosfet do poder do mosfet do poder da trincheira de SI4435DY

MOSFET de PowerTrench do P-canal do transistor 30V do Mosfet do poder do mosfet do poder da trincheira de SI4435DY
MOSFET de PowerTrench do P-canal do transistor 30V do Mosfet do poder do mosfet do poder da trincheira de SI4435DY
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem 8-SOIC da superfície 2.5W do P-canal 30 V 8.8A (Ta) (Ta)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão da Dreno-fonte:
– 30 V
Tensão da Porta-fonte:
±20 V
Drene atual – contínuo:
– 8,8 A
Dissipação de poder para a única operação:
2,5 W
Variação da temperatura da junção do funcionamento e do armazenamento:
– °C 55 a +175
Resistência térmica, junção-à-caso:
25 °C/W
Destaque:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introdução

SI4435DY

MOSFET de PowerTrench do P-canal 30V

Descrição geral

Este MOSFET do P-canal é uma versão áspera da porta de processo avançado do PowerTrench do semicondutor de Fairchild. Foi aperfeiçoado para a gestão que do poder as aplicações que exigem uma vasta gama de deram as avaliações da tensão da movimentação (4.5V – 25V).

Aplicações

· Gestão do poder

· Interruptor da carga

· Proteção da bateria

Características

· – 8,8 A, – 30 V RDS (SOBRE) = 20 mW @ VGS = – 10 V

RDS (SOBRE) = 35 mW @ VGS = – 4,5 V

· Baixa carga da porta (17nC típicos)

· Velocidade de comutação rápida

· Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (SOBRE)

· Poder superior e capacidade de manipulação atual

Avaliações máximas absolutas TA=25℃ salvo disposição em contrário

Símbolo Parâmetro Avaliações Unidades
VDSS Tensão da Dreno-fonte -30 V
VGSS Tensão da Porta-fonte ±20 V
Identificação

Drene atual – contínuo (Nota 1a)

– Pulsado

 – 8,8
– 50
Paládio

Dissipação de poder para a única operação (Nota 1a)

(Nota 1b)

(Nota 1c)

 2,5

W
1,2
1
TJ, TSTG Variação da temperatura da junção do funcionamento e do armazenamento – 55 a +175 °C

Características térmicas

RθJA Resistência térmica, Junção-à-ambiental (nota 1a) 50 °C/W
RθJA Resistência térmica, Junção-à-ambiental (nota 1c) 125 °C/W
RθJC Resistência térmica, Junção-à-caso (nota 1) 25 °C/W

Marcação do pacote e informação pedindo

Marcação do dispositivo Dispositivo Tamanho do carretel Largura da fita Quantidade
SI4435DY SI4435DY 13' ‘ 12mm 2500 unidades

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