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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Tipo difundido triplicar-se do silicone NPN do transistor do Mosfet do poder do mosfet CI do poder 2SC2229-Y (processo do PCT)

Tipo difundido triplicar-se do silicone NPN do transistor do Mosfet do poder do mosfet CI do poder 2SC2229-Y (processo do PCT)

Tipo difundido triplicar-se do silicone NPN do transistor do Mosfet do poder do mosfet CI do poder 2SC2229-Y (processo do PCT)
Tipo difundido triplicar-se do silicone NPN do transistor do Mosfet do poder do mosfet CI do poder 2SC2229-Y (processo do PCT)
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Transistor (BJT) bipolar NPN 150 V 50 miliampère 120MHz 800 mW através do furo TO-92MOD
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão da Coletor-base:
200 V
tensão do Coletor-emissor:
150 V
tensão da Emissor-base:
5 V
Corrente de coletor:
50 miliampères
Dissipação de poder do coletor:
800 mW
Variação da temperatura do armazenamento:
−55 ao °C 150
Destaque:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introdução

Tipo difundido triplicar-se do silicone NPN do transistor de TOSHIBA (processo do PCT)

2SC2229

Aplicações das saídas de vídeo da tevê preto e branco

Aplicações de comutação de alta tensão

Aplicações de Stage Audio Amplifier do motorista

• Alta tensão da divisão: VCEO = 150 V (minuto)

• Baixa capacidade de saída: Espiga = 5,0 PF (máximos)

• Frequência alta da transição: fT = 120 megahertz (tipo.)

Avaliações máximas absolutas (Ta = 25°C)

Características Símbolo Avaliação Unidade
tensão da Coletor-base VCBO 200 V
tensão do Coletor-emissor VCEO 150 V
tensão da Emissor-base VEBO 5 V
Corrente de coletor IC 50 miliampère
Corrente baixa IB 20 miliampère
Dissipação de poder do coletor PC 800 mW
Temperatura de junção Tj 150 °C
Variação da temperatura do armazenamento Tstg −55 a 150 °C

Nota: Usar-se continuamente sob cargas pesadas (por exemplo a aplicação da alta temperatura/atual/tensão e a mudança significativa na temperatura, etc.) pode fazer com que este produto diminua na confiança significativamente mesmo se as condições operacionais (isto é temperatura de funcionamento/atual/tensão, etc.) estão dentro das avaliações máximas absolutas. Projete por favor a confiança apropriada em cima de rever o manual da confiança do semicondutor de Toshiba (“segurando conceito e métodos de /Derating das precauções”) e os dados de confiança individuais (isto é relatório de teste da confiança e taxa de falhas, etc. calculados).

Peso: 0,36 g (tipo.)

Marcação

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
P89LPC936FDH 5512 14+ TSSOP
LT1010CT 5605 LT 14+ TO220
IT8705F-FXS 5698 ITE 14+ QFP
ADS1232IPWR 5504 SI 16+ TSSOP
LMZ10503TZE-ADJ/NOPB 5310 SI 16+ PFM-7
XCR3032XL-10VQG44C 5116 XILINX 13+ QFP44
LT1461BIS8-2.5 4922 LT 15+ SOP8
FGA25N120ANTD 4728 FSC 16+ TO-3P
IKCS17F60F2C 434 16+ MÓDULO
D2030A 4340 HUANJIN 14+ TO-220-5
2SK2611 4146 TOSHIBA 14+ TO-3P
S8025L 3952 TOCCOR 14+ TO-220
AD623ARZ 3758 ANÚNCIO 16+ CONCESSÃO
TDA5140AT/C1 3564 PHILPS 16+ SOP20
OPA2344UA 3370 SI 13+ SOP-8
AP89341 3176 APLUS 15+ MERGULHO
2N6057 2982 MOT 16+ TO-3
ATMEGA8A-AU 2788 ATMEL 16+ QFP
IRFP460PBF 2594 IR 14+ TO-247
L297 2400 ST 14+ MERGULHO
MAX1324ECM 2206 MÁXIMA 14+ QFP
UCC2897APWR 2012 SI 16+ TSSOP20
W5300 1818 WIZNET 16+ QFP
STRW6252 1624 SANKEN 13+ TO-220F
SI9241A 1430 VISHAY 15+ SOP8
TC4-1W 1236 MINI 16+ NA
LTC4357CMS8 1042 LT 16+ MSOP8
MSP430F149IPMR 848 SI 14+ QFP
PE-65351 654 PULSO 14+ DIP6
SIM900 760 SIM 14+ NA

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