Transistor de uso geral do transistor PNP do Mosfet do poder BC807-25
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Oferta conservada em estoque (venda quente)
| Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
| 5M0380R | 2882 | FSC | 14+ | TO-220 |
| AT24C04 | 2882 | ATMEL | 14+ | SOP8 |
| HT1381 | 2882 | HOLTEK | 14+ | SOP8 |
| L293E | 2887 | ST | 16+ | MERGULHO |
| BZX84B5V1 | 2888 | EM | 16+ | SOT-23 |
| TLP523-4 | 2888 | TOSHIBA | 13+ | DIP-16 |
| TPS63020DSJR | 2888 | SI | 15+ | QFN |
| KBP210 | 2896 | SETEMBRO | 16+ | MERGULHO |
| MP1542DK-LF-Z | 2900 | PM | 16+ | MSOP8 |
| STU3030 | 2900 | SAMHOP | 14+ | TO-252 |
| IRS2092S | 2978 | IR | 14+ | SOP16 |
| SMBJ36A | 2980 | VISHAY | 14+ | DO-214AA |
| A6259 | 2988 | SANKEN | 16+ | MERGULHO |
| IRF7309TRPBF | 2990 | IR | 16+ | SOP8 |
| PIC16F877-20I/L | 2990 | MICROCHIP | 13+ | PLCC44 |
| IRFBE30P | 2997 | IR | 15+ | TO-220 |
| MUR1640CT | 2998 | EM | 16+ | TO-220 |
| 1.5KE15A | 3000 | VISHAY | 16+ | DO-201AD |
| 1.5KE6.8CA | 3000 | VISHAY | 14+ | DO-201AD |
| 1N5359B | 3000 | EM | 14+ | DO-27 |
| 1N5819HW-7-F | 3000 | DIODOS | 14+ | SOD-123 |
| 2N7002W-7-F | 3000 | DIODOS | 16+ | SOT-323 |
| 74HC1G04GW | 3000 | 16+ | SOT-353 | |
| BD136 | 3000 | ST | 13+ | TO-126 |
| BF620 | 3000 | 15+ | SOT-89 | |
| BZD27C13 | 3000 | VISHAY | 16+ | SOD123 |
| BZX84-C12 | 3000 | 16+ | SOT23 | |
| CAT810LTBI | 3000 | EM | 14+ | SOT23-3 |
| DF01S | 3000 | VISHAY | 14+ | SOP4 |
| DTC124EU | 3000 | ROHM | 14+ | SOT323 |
Transistor de uso geral de BC807 PNP
CARACTERÍSTICAS
• Atual alto (máximo 500 miliampères)
• Baixa tensão (máximo 45 V).
APLICAÇÕES
• Interruptor e amplificação de uso geral.
Fig.1 simplificou o esboço (SOT23) e o símbolo.
DESCRIÇÃO
Transistor de PNP em um pacote SOT23 plástico.
NPN complementa: BC817.
FIXAR
| PIN | DESCRIÇÃO |
| 1 | base |
| 2 | emissor |
| 3 | coletor |
VALORES DE LIMITAÇÃO
De acordo com o sistema de avaliação máxima absoluta (IEC 134).
| SÍMBOLO | PARÂMETRO | CIRCUNSTÂNCIAS | MÍNIMO. | MÁXIMO. | UNIDADE |
| VCBO | tensão da coletor-base | emissor aberto | − | −50 | V |
| VCEO | tensão do coletor-emissor | base aberta; IC = −10 miliampère | − | −45 | V |
| VEBO | tensão da emissor-base | coletor aberto | − | −5 | V |
| IC | corrente de coletor (C.C.) | − | −500 | miliampère | |
| ICM | corrente de coletor máxima | − | −1 | ||
| IBM | corrente baixa máxima | − | −200 | miliampère | |
| Ptot | dissipação de poder total | °C do ≤ 25 de Tamb; nota 1 | − | 250 | mW |
| Tstg | temperatura de armazenamento | −65 | +150 | °C | |
| Tj | temperatura de junção | − | 150 | °C | |
| Tamb | temperatura ambiental de funcionamento | −65 | +150 | °C |
O transistor da nota 1. montou em uma placa dos circuitos impressos FR4.
ESBOÇO DO PACOTE
Pacote montado de superfície plástico; 3 ligações SOT23

