Transistor de uso geral do transistor PNP do Mosfet do poder BC807-25
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Oferta conservada em estoque (venda quente)
Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
5M0380R | 2882 | FSC | 14+ | TO-220 |
AT24C04 | 2882 | ATMEL | 14+ | SOP8 |
HT1381 | 2882 | HOLTEK | 14+ | SOP8 |
L293E | 2887 | ST | 16+ | MERGULHO |
BZX84B5V1 | 2888 | EM | 16+ | SOT-23 |
TLP523-4 | 2888 | TOSHIBA | 13+ | DIP-16 |
TPS63020DSJR | 2888 | SI | 15+ | QFN |
KBP210 | 2896 | SETEMBRO | 16+ | MERGULHO |
MP1542DK-LF-Z | 2900 | PM | 16+ | MSOP8 |
STU3030 | 2900 | SAMHOP | 14+ | TO-252 |
IRS2092S | 2978 | IR | 14+ | SOP16 |
SMBJ36A | 2980 | VISHAY | 14+ | DO-214AA |
A6259 | 2988 | SANKEN | 16+ | MERGULHO |
IRF7309TRPBF | 2990 | IR | 16+ | SOP8 |
PIC16F877-20I/L | 2990 | MICROCHIP | 13+ | PLCC44 |
IRFBE30P | 2997 | IR | 15+ | TO-220 |
MUR1640CT | 2998 | EM | 16+ | TO-220 |
1.5KE15A | 3000 | VISHAY | 16+ | DO-201AD |
1.5KE6.8CA | 3000 | VISHAY | 14+ | DO-201AD |
1N5359B | 3000 | EM | 14+ | DO-27 |
1N5819HW-7-F | 3000 | DIODOS | 14+ | SOD-123 |
2N7002W-7-F | 3000 | DIODOS | 16+ | SOT-323 |
74HC1G04GW | 3000 | 16+ | SOT-353 | |
BD136 | 3000 | ST | 13+ | TO-126 |
BF620 | 3000 | 15+ | SOT-89 | |
BZD27C13 | 3000 | VISHAY | 16+ | SOD123 |
BZX84-C12 | 3000 | 16+ | SOT23 | |
CAT810LTBI | 3000 | EM | 14+ | SOT23-3 |
DF01S | 3000 | VISHAY | 14+ | SOP4 |
DTC124EU | 3000 | ROHM | 14+ | SOT323 |
Transistor de uso geral de BC807 PNP
CARACTERÍSTICAS
• Atual alto (máximo 500 miliampères)
• Baixa tensão (máximo 45 V).
APLICAÇÕES
• Interruptor e amplificação de uso geral.
Fig.1 simplificou o esboço (SOT23) e o símbolo.
DESCRIÇÃO
Transistor de PNP em um pacote SOT23 plástico.
NPN complementa: BC817.
FIXAR
PIN | DESCRIÇÃO |
1 | base |
2 | emissor |
3 | coletor |
VALORES DE LIMITAÇÃO
De acordo com o sistema de avaliação máxima absoluta (IEC 134).
SÍMBOLO | PARÂMETRO | CIRCUNSTÂNCIAS | MÍNIMO. | MÁXIMO. | UNIDADE |
VCBO | tensão da coletor-base | emissor aberto | − | −50 | V |
VCEO | tensão do coletor-emissor | base aberta; IC = −10 miliampère | − | −45 | V |
VEBO | tensão da emissor-base | coletor aberto | − | −5 | V |
IC | corrente de coletor (C.C.) | − | −500 | miliampère | |
ICM | corrente de coletor máxima | − | −1 | ||
IBM | corrente baixa máxima | − | −200 | miliampère | |
Ptot | dissipação de poder total | °C do ≤ 25 de Tamb; nota 1 | − | 250 | mW |
Tstg | temperatura de armazenamento | −65 | +150 | °C | |
Tj | temperatura de junção | − | 150 | °C | |
Tamb | temperatura ambiental de funcionamento | −65 | +150 | °C |
O transistor da nota 1. montou em uma placa dos circuitos impressos FR4.
ESBOÇO DO PACOTE
Pacote montado de superfície plástico; 3 ligações SOT23

0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC
