Transistor de uso geral do npn do transistor do Mosfet do poder FQP50N06
power mosfet ic
,silicon power transistors
Oferta conservada em estoque (venda quente)
| Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
| SN74HC00DR | 4211 | SI | 15+ | SOP14 |
| NDS9956A | 4215 | FAIRCHILD | 16+ | SOP8 |
| MC33202DR2G | 4227 | EM | 16+ | SOP8 |
| ICE2B265 | 4250 | 14+ | DIP-8 | |
| SS32-E3/57T | 4250 | VISHAY | 14+ | DO214 |
| SI3867 | 4258 | VISHAY | 14+ | SOT-163 |
| APM4953 | 4275 | APM | 16+ | SOP8 |
| LM1117MPX-5.0 | 4288 | NS | 16+ | SOT223 |
| 3224W-1-103E | 4300 | BOURNS | 13+ | SMD |
| TNY276GN | 4300 | PODER | 15+ | SOP-7 |
| MIC5235-1.8YM5 | 4300 | MICREL | 16+ | SOT23-5 |
| HCF4052BEY | 4399 | ST | 16+ | MERGULHO |
| M82C51A-2 | 4400 | OKI | 14+ | MERGULHO |
| MUR1620CTRG | 4400 | EM | 14+ | TO-220 |
| IRF7329 | 4412 | IR | 14+ | SOP-8 |
| HSMP-3816 | 4433 | AVAGO | 16+ | SOT153 |
| SMDJ54CA | 4440 | LITTELFUS | 16+ | SMD |
| GP1A51HR | 4444 | AFIADO | 13+ | DIP-4 |
| P2804BDG | 4444 | NIKO | 15+ | TO252 |
| AP9962GH | 4450 | AP | 16+ | TO-252 |
| AD1955ARSZ | 4457 | ANÚNCIO | 16+ | SSOP-28 |
| AMS1083CT-3.3 | 4470 | AMS | 14+ | TO-220 |
| 1N4747A | 4500 | ST | 14+ | DO-41 |
| FDB8447L | 4500 | FSC | 14+ | TO-263 |
| INA118P | 4500 | SI | 16+ | DIP-8 |
| IRFR9024NTRPBF | 4500 | IR | 16+ | TO-252 |
| NL17SZ06 | 4500 | EM | 13+ | SOT553 |
| Q6040K7 | 4500 | LITTELFUS | 15+ | TO-3P |
| STM8324 | 4500 | SAMHOP | 16+ | SOP8 |
| TDA2050 | 4500 | ST | 16+ | FECHO DE CORRER |
FQP50N06L
MOSFET do N-canal da LÓGICA 60V
Descrição geral
Estes transistor de efeito de campo do poder do modo do realce do N-canal são produzidos usando Fairchild proprietária, listra planar, tecnologia de DMOS.
Esta tecnologia avançada foi costurada especialmente para minimizar a resistência do em-estado, para fornecer o desempenho de comutação superior, e suporta o pulso do de alta energia no modo da avalancha e da comutação. Estes dispositivos são bem - serido para aplicações da baixa tensão tais como conversores automotivos, da C.C. da C.C., e eficiência elevada que comuta para a gestão do poder em produtos portáteis e a pilhas.
Características
• 52.4A, 60V, RDS (sobre) = 0.021Ω @VGS = 10 V
• Baixa carga da porta (24,5 típicos nC)
• Baixo Crss (90 típicos PF)
• Interruptor rápido
• a avalancha 100% testou
• Capacidade melhorada de dv/dt
• avaliação máxima da temperatura de junção 175°C
Avaliações máximas absolutas TC = 25°C salvo disposição em contrário
| Símbolo | Parâmetro | FQP50N06L | Unidades |
| VDSS | Tensão da Dreno-fonte | 60 | V |
| Identificação |
Drene atual - contínuo (TC = 25°C) - Contínuo (TC = 100°C) |
52,4 | |
| 37,1 | |||
| IDM | Drene atual - pulsado (nota 1) | 210 | |
| VGSS | Tensão da Porta-fonte | ± 20 | V |
| EAS | Única energia pulsada da avalancha (nota 2) | 990 | mJ |
| IAR | Corrente da avalancha (nota 1) | 52,4 | |
| ORELHA | Energia repetitiva da avalancha (nota 1) | 12,1 | mJ |
| dv/dt | Recuperação máxima dv/dt do diodo (nota 3) | 7,0 | V/ns |
| Paládio |
Dissipação de poder (TC = 25°C) - Derate acima de 25°C |
121 | W |
| 0,81 | W/°C | ||
| TJ, TSTG | Variação da temperatura do funcionamento e do armazenamento | -55 a +175 | °C |
| TL | Temperatura máxima para finalidades de solda, 1/8" da ligação do argumento por 5 segundos | 300 | °C |
Dimensões do pacote
TO-220