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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Mosfet de uso geral do mosfet do poder linear do MOSFET do poder IRFR9214

Mosfet de uso geral do mosfet do poder linear do MOSFET do poder IRFR9214

Mosfet de uso geral do mosfet do poder linear do MOSFET do poder IRFR9214
Mosfet de uso geral do mosfet do poder linear do MOSFET do poder IRFR9214
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem D-Pak da superfície 50W do P-canal 250 V 2.7A (Tc) (Tc)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
VDS (v):
-250
RDS (sobre) (Ω):
VGS = - 10 V /3.0
Qg (máximo) (nC:
14
Qgs (nC):
3,1
Qgd (nC):
6,8
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

LISTA CONSERVADA EM ESTOQUE

NC7SZ04M5X 5000 FAIRCHILD 15+ SOT23-5
PCA82C251 5000 12+ SOP-8
PZTA42T1G 5000 EM 16+ SOT223
RBV5006 5000 EIC 12+ RBV-4
RUEF250 5000 RAYCHEM 16+ MERGULHO
ST3232ECDR 5000 ST 16+ SOP-16
SW-289 5000 MA/COM 16+ SOP14
TL072CDR 5000 SI 16+ SOP8
TL7705BCP 5000 SI 16+ SOP8
TPS2041BDBVR 5000 SI 14+ SOT23-5
TPS5430DDAR 5000 SI 16+ SOP8
TCT DE UCLAMP0511P 5000 SEMTECH 16+ MICREL
ULN2003ADRG3 5000 SI 15+ SOP16
SN75C1406N 5002 SI 16+ SOP-16
B340A-13-F 5008 DOIDES 15+ SMA
REG1117-3.3 5008 BB 12+ SOT223
SST25VF032B-80-4I-S2AF 5010 SST 16+ SOP8
TPS79730DCKR 5018 SI 12+ SC70-5
2SC3355 5100 NEC 16+ TO-92
DAC0808LCN 5100 NSC 16+ DIP16
FDS4435 5100 FAIRCHILD 16+ SOP-8
LT1963EST-2.5 5100 LT 16+ SOT-223
X5045P 5100 XICOR 16+ DIP8
DAC7554IDGS 5110 SI 14+ MSOP-10
AM26LV32IDR 5120 SI 16+ SOP16
CS51412EDR8G 5120 EM 16+ SOP8
LM2940T-12 5120 NS 15+ TO-220
LM6132BIMX 5120 NS 16+ SOP8
RC5057M 5120 FAIRCHILD 15+ SOP16
SN75ALS180DR 5120 SI 12+ SOP-14
UGN3503UA 5120 ALLEGRO 16+ TO-92
BD241C 5123 FSC 12+ TO-220

IRFR9214

Mosfet de uso geral do mosfet do poder linear do MOSFET do poder

CARACTERÍSTICAS

• P-canal

• Montagem de superfície (IRFR9214/SiHFR9214)

• Ligação reta (IRFU9214/SiHFU9214)

• Tecnologia de processamento avançada

• Interruptor rápido

• Inteiramente avalancha avaliada

• Ligação (Pb) - disponível livre

DESCRIÇÃO

Os MOSFETs do poder da terceira geração de Vishay utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações. O DPAK é projetado para a montagem de superfície usando a fase de vapor, o infravermelho, ou técnicas de solda da onda. A versão reta da ligação (série de IRFU/SiHFU) é para a montagem do através-furo

aplicações. Níveis até 1,5 W da dissipação de poder

seja possível em aplicações de superfície típicas da montagem.

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