Transistor de poder superior duplos FDS4935BZ do MOSFET da trincheira de um poder de 30 volts
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão da Dreno-fonte:
– 30 V
Tensão da Porta-fonte:
+25 V
Drene atual – contínuo:
– 6,9 A
Variação da temperatura da junção do funcionamento e do armazenamento:
– qC 55 a +150
Resistência térmica, junção-à-ambiental:
78 qC/W
Destaque:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introdução
LISTA CONSERVADA EM ESTOQUE
| BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | MÓDULO |
| LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
| NCN1188MUTAG | 8480 | EM | 16+ | UQFN |
| NCN1154MUTAG | 8400 | EM | 16+ | UQFN |
| LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
| L78L05ABD | 10000 | ST | 15+ | SOP8 |
| AT24C08BN-SH | 5000 | ATMEL | 15+ | SOP-8 |
| PS21563-P | 500 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
| BNX003-01 | 2058 | MURATA | 14+ | MERGULHO |
| LTC4441IMSE | 6207 | LINEAR | 14+ | MSOP |
| PA0173NLT | 7386 | PULSO | 16+ | CONCESSÃO |
| P0926NL | 8560 | PULSO | 16+ | CONCESSÃO |
| PM10CSJ060 | 145 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| PH150S280-24 | 914 | LAMBDA | 16+ | IGBT |
| LM75CIMX-5 | 4325 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| PDT15016 | 392 | NIEC | 14+ | MÓDULO |
| CXA3834M | 2531 | SONY | 15+ | CONCESSÃO |
| NS8002 | 40000 | NSIWAY | 16+ | CONCESSÃO |
| MP8707EN-LF-Z | 5854 | PM | 16+ | CONCESSÃO |
| MAP3202 | 3234 | MAGNACHIP | 16+ | CONCESSÃO |
| PS20660-MRZ | 200 | MITSUBISH | 05+ | MÓDULO |
| PK55GB80 | 80 | SANREX | 12+ | MÓDULO |
| BSM200GD60DLC | 368 | EUPEC | 14+ | MÓDULO |
| LV8401V-TLM-E | 5128 | EM | 16+ | SSOP |
| 2DI150D-050C | 991 | FUJI | 14+ | MÓDULO |
| QM50HA-H | 300 | MITSUBISH | 13+ | MÓDULO |
| XC3S250E-4TQG144C | 1968 | XILINX | 15+ | QFP144 |
| CY7C68014A-100AXC | 1156 | CYPRESS | 15+ | QFP |
| LP2985A-10DBVR | 4710 | SI | 15+ | SOT-23-5 |
| PB4350 | 10940 | 16+ | SOT-23 | |
| M27C512-70XF1 | 4087 | ST | 16+ | MERGULHO |
| QM200DY-H | 250 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
| ATTINY85-20PU | 500 | ATMEL | 14+ | DIP-8 |
| A50L-0001-0284 | 100 | FUJI | 10+ | MÓDULO |
| PC357N1TJ00F | 10000 | AFIADO | 16+ | CONCESSÃO |
| 2MBI150US-120-50 | 388 | FUJI | 14+ | MÓDULO |
| 2MBI75P-140 | 523 | FUJI | 12+ | MÓDULO |
| LNK364PN | 4211 | PODER | 15+ | DIP-7 |
| RA30H2127M | 200 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
| CM110YE4-12F | 228 | MITSUBI | 15+ | MÓDULO |
| MRF321 | 642 | MOT | 14+ | TO-55s |
| A3972SB | 1000 | ALLEGRO | 13+ | DIP-24 |
| MR4010 | 6253 | SHINDENGE | 16+ | TO220-7 |
| PMD1000 | 5000 | ALLEGRO | 10+ | QFP-48 |
| LTC2294IUP | 726 | LT | 15+ | QFN |
| M30620FCAFP | 3750 | RENESAS | 16+ | QFP |
| BT148W-600R | 10000 | 14+ | TO220 | |
| MAX4312EEE+T | 3600 | MÁXIMA | 14+ | QSOP |
| LTC1967CMS8 | 1628 | LINEAR | 15+ | MSOP |
| PM200CLA120 | 100 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
| MAX5160MEUA | 14950 | MÁXIMA | 16+ | MSOP |
| P89C51RC+JB | 1140 | PHILIPS | 15+ | QFP |
| MC68CK16Z1CAG16 | 3682 | FREESCALE | 15+ | QFP |
| PBY201209T-601Y-S | 20000 | YAGEO | 16+ | SMD |
| PACDN046M | 10620 | CMD | 16+ | MSOP8 |
| XQ18V04VQ44N | 890 | XILINX | 14+ | QFP44 |
| MAX17126BETM | 6650 | MÁXIMA | 15+ | QFN |
| CY20AAJ-8F | 500 | MIT | 10+ | SOP-8 |
| LME49720MA | 2428 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| BL05A | 888 | EM | 12+ | SOP-8 |
| BT4830 | 2322 | CRESCIMENTO | 15+ | FECHO DE CORRER |
| BLF278 | 112 | 12+ | SOT-262 | |
| M51996AFP | 3334 | RENESAS | 16+ | CONCESSÃO |
| M25PE20-VMN6TP | 4331 | ST | 16+ | CONCESSÃO |
| MB81F643242B-10FN | 6418 | FUJI | 15+ | TSSOP |
| MPC5200CVR400B | 588 | FREESCALE | 14+ | BGA |
| XC2C64A-7VQG44I | 200 | XILINX | 14+ | VQFP44 |
| XC6SLX100-3CSG484I | 100 | XILINX | 15+ | BGA |
| PESD3V3L5UY | 30000 | 16+ | ÉBRIO |
FDS4935BZ
MOSFET duplo de PowerTrench do P-canal de 30 volts
Características
x – 6,9 A, – 30 V. RDS (SOBRE) = 22 m:
@ VGS = – 10 V RDS (SOBRE) = 35 m:
@ VGS = – 4,5 V
x estendeu a escala de VGSS (– 25V) para aplicações da bateria
diodo da proteção de x ESD (nota 3)
tecnologia da trincheira do elevado desempenho de x para extremamente - o baixo RDS (SOBRE)
poder superior de x e capacidade de manipulação atual
Descrição geral
Este MOSFET do P-canal foi projetado especificamente melhorar a eficiência total de conversores de DC/DC usando controladores síncronos ou convencionais do interruptor PWM, e carregadores de bateria.
Estes MOSFETs caracterizam um interruptor mais rápido e uma mais baixa carga da porta do que outros MOSFETs com especificações comparáveis do RDS (SOBRE). O resultado é projetos da fonte de uma alimentação do MOSFET que é fácil e mais seguro de conduzir (mesmo em altas frequências mesmas), e do DC/DC com eficiência total mais alta.
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