Enviar mensagem
Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > 60V N - mosfet de comutação FDS9945 do poder do MOSFET da trincheira do poder do canal

60V N - mosfet de comutação FDS9945 do poder do MOSFET da trincheira do poder do canal

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem de superfície 8-SOIC da disposição 60V 3.5A 1W do Mosfet
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão da Dreno-fonte:
60 V
Tensão da Porta-fonte:
±20 V
Dreno Curren:
3,5 A
Dissipação de poder para a única operação:
2 W
Variação da temperatura da junção do funcionamento e do armazenamento:
°C -55 a +175
Destaque:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introdução

LISTA CONSERVADA EM ESTOQUE

MSP3420GB8V3 6596 MSP 15+ MERGULHO
LTV8141 10000 LITEON 16+ MERGULHO
MAX6301CSA 4076 MÁXIMA 16+ CONCESSÃO
LM2841XBMKX 10188 NSC 15+ SOT-23-5
LMC7111BIM5 10000 NSC 14+ SOT-23-5
LM3876T 543 NSC 13+ ZIP-11
LMC6062AIM 4239 NSC 14+ SOP-8
LMV431BIMF 10000 NSC 15+ SOT-23
MAX8682ETM 5146 MÁXIMA 16+ QFN
LMC6572BIM 4338 NSC 14+ SOP-14
LMC6482IMX 2999 NSC 15+ SOP-8
LM7301IM5 4926 NSC 15+ SOT-23-5
PAL007A 3260 MOSFET 14+ FECHO DE CORRER
MS5540-CM 6519 MEASUYEME 16+ SMD
88AP270MA2-BHE1C520 320 MARVELL 15+ BGA
MT9171AN 7471 ZARLINK 16+ SSOP
MRF184 6393 MOT 14+ SMD
MURS140 25000 EM 16+ DO-214
BGY68 3500 14+ MOKUAI
PESD5V2S2UT 25000 16+ ÉBRIO
LM26CIM5-TPA 5000 NSC 14+ SOT-23-5
CM1200HB-66H 213 MITSUBI 14+ MÓDULO
LPC11C24FBD48 4833 15+ LQFP-48
CM30TF-24H 313 MITSUBI 15+ MÓDULO
7MBR50SB120 230 FUJI 12+ MÓDULO
MAX209EWG 7850 MÁXIMA 14+ CONCESSÃO
LXT970AQC 4907 LEVELONE 10+ QFP
MSP430FG4619IPZ 6834 SI 16+ LQFP
NCP1052ST136T3G 9280 EM 16+ SOT-223
MAX17121ETG 6550 MÁXIMA 16+ QFN
MAC97A6 25000 EM 16+ TO-92
MPC89E58AF 5910 MEGAWIN 16+ PQFP
CS4398-CZZR 2234 CIRRO 15+ TSSOP
LC4064V-75TN100-10I 3070 ESTRUTURA 15+ QFP
ME0550-02DA 595 IXYS 14+ IGBT
MDD26-14N1B 5902 IXYS 16+ IGBT
MT9V024IA7XTM 2499 EM 15+ BGA
MCC21-1408B 4756 IXYS 14+ IGBT
CM100DU-24NFH 378 MITSUBI 15+ MÓDULO
6RI100E-080 958 FUJI 15+ MÓDULO
PM150RSD060 250 MITSUBISH 10+ MOUDLE
PK160F-160 120 SANREX 11+ MÓDULO
LC540 3081 SI 15+ TSSOP
OP20FZ 596 ANÚNCIO 16+ CDIP
PCA9554PWR 12420 SI 16+ TSSOP
M1494NC180 479 WESTCODE 14+ MÓDULO
LM4890MM 30000 NSC 15+ MSOP-8
MHW6342T 6304 MOT 15+ CATV
CM450HA-5F 233 MITSUBI 14+ MÓDULO
PM200RSD060 230 MITSUBISH 05+ MOUDLE
PM200RSA060 120 MITSUBISH 13+ MOUDLE
MSM5219BGS-K-7 550 OKI 14+ QFP
PS11003-C 500 MITSUBISH 12+ MÓDULO
MB87020PF-G-BND 3531 FUJITSU 14+ QFP
MA2820 7689 SHINDENG 16+ FECHO DE CORRER
7MBP150RTB060 210 FUJI 12+ MÓDULO
MBM200HS6B 629 HITACHI 14+ MÓDULO
PM25RSK120 320 MITSUBISH 10+ MOUDLE
QM150DY-H 150 MITSUBISH 13+ MÓDULO
PWB130A40 120 SANREX 14+ MÓDULO
LA1185 3928 SANYO 14+ SIP9


FDS9945

mosfet de comutação do poder do MOSFET de PowerTrench do N-canal 60V

Características

· 3,5 A, 60 V. RDS (SOBRE) = 0.100W @ VGS = 10 V RDS (SOBRE) = 0.200W @ VGS = 4.5V

· Aperfeiçoado para o uso em comutar conversores de DC/DC com controladores de PWM

· Interruptor rápido mesmo

· Baixa carga da porta.

Descrição geral

Este o MOSFET do nível da lógica do canal de N foi projetado especificamente melhorar a eficiência total de conversores de DC/DC usando controladores síncronos ou convencionais do interruptor PWM.

O interruptor mais rápido da característica do MOSFET e a carga mais baixa da porta do que o outro MOSFET com especificações comparáveis do RDS (sobre)

O resultado é um MOSFET que seja fácil e mais seguro de conduzir

(mesmo em altas frequências mesmas), e de alimentação de DC/DC projetos da fonte com eficiência total mais alta.

PRODUTOS RELACIONADOS
Imagem parte # Descrição
0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Retificador MEGA SOD123  da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC

Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos de superfície das tevês da montagem dos diodos de avalancha 600W do silicone de SMBJ5.0A

Diodos de superfície das tevês da montagem dos diodos de avalancha 600W do silicone de SMBJ5.0A

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ:
5pcs