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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Mosfet complementar do poder do transistor do Mosfet do poder de MJE15032G MJE15033G

Mosfet complementar do poder do transistor do Mosfet do poder de MJE15032G MJE15033G

Mosfet complementar do poder do transistor do Mosfet do poder de MJE15032G MJE15033G
Mosfet complementar do poder do transistor do Mosfet do poder de MJE15032G MJE15033G
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Transistor (BJT) bipolar NPN 250 V 8 um 30MHz 50 W através do furo TO-220
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
tensão do Coletor-emissor:
250 VDC
Tensão do coletor-Bsae:
250 VDC
Tensão do emissor-Bsae:
5,0 VDC
Corrente de Bsae:
2,0 CAD
Temperatura de junção de funcionamento:
℃ -65 a +150
Temperatura de armazenamento:
℃ -65 a +150
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
BCX71G 48000 FAIRCHILD 15+ SOT-23
UC3842 49825 EM 16+ DIP-8
2SA1774TLR 50000 ROHM 16+ SOT23-3
2SC3355 50000 NEC 14+ TO-92
FDN338P 50000 FSC 14+ SOT-23
KIA78L08 50000 KEC 14+ SOT89
SS13 50000 VISHAY 16+ SMA
MBT2907ALT1G 51200 EM 16+ SOT-23
BAV70 52000 13+ SOT23
SK16 52000 MOSPEC 15+ SMA
UMX1N 60000 ROHM 16+ SOT363
NJM4558D-#ZZZB 70000 JRC 16+ DIP8
2SA1586-GR 78000 TOSHIBA 14+ SOT-323
SMBJ18A 88000 VISHAY 14+ DO-214AA
UC3842BD1013TR 90000 ST 14+ SOP8
FR607 98000 MIC 16+ R-6
BC857BLT1G 99000 EM 16+ SOT-23
78L05 100000 SI 13+ TO92
AP8022 100000 CHIPOWN 15+ DIP-8
SMBJ12CA 101000 VISHAY 16+ SMB
BC847BLT1G 117000 EM 16+ SOT-23
BAT54A 6000 14+ SOT-23
2N7002P 3000 14+ STO-23
AD9957BSVZ 2010 DDA 14+ QFP
BY500-800 2015 VISHAY 16+ DO-201
LM311P 2020 SI 16+ DIP8
XC5VSX95T-1FFG1136C 525 XILINX 13+ BGA
XC5VSX95T-1FFG1136I 530 XILINX 15+ BGA
AD9958BCPZ 2035 ANÚNCIO 16+ BGA
BD237 2040 16+ MERGULHO

MJE15032 (NPN), MJE15033 (PNP)

Transistor de poder complementares do plástico do silicone

8,0 AMPÈRES PÕEM O SILICONE COMPLEMENTAR DOS TRANSISTOR 250 VOLTS, 50 WATTS

Projetado para o uso como motoristas do high−frequency em amplificadores audio.

Características

• O ganho atual de C.C. especificou a 5,0 ampères

hFE = 70 (minuto) @ IC = 0,5 CAD

= 10 (minuto) @ IC = 2,0 CAD

• Tensão de sustentação de Collector−Emitter

− VCEO (sus) = 250 VDC (minuto) de − MJE15032, MJE15033

• Produto alto da largura de banda do − do ganho atual

fT = 30 megahertz (minuto) @ IC = mAdc 500

• Pacote do estojo compacto de TO−220AB

• A cola Epoxy encontra UL 94 V−0 @ 0,125 dentro

• Avaliações do ESD: Modelo de máquina C

Modelo 3B do corpo humano

• Os pacotes de Pb−Free são Available*

AVALIAÇÕES MÁXIMAS

AVALIAÇÃO

SÍMBOLO

VALOR

UNIDADE

Tensão do Coletor-emissor

VCEO

250

VDC

Tensão do coletor-Bsae

VCB

250

VDC

Tensão do emissor-Bsae

VEB

5,0

VDC

Corrente de coletor - contínua

- Pico

IC

8,0

16

CAD

Corrente de Bsae

IB

2,0

CAD

Dissipação de poder total @TC=25℃

Derate acima de 25℃

Paládio

50

0,40

W

W/℃

Dissipação de poder total @TA=25℃

Derate acima de 25℃

Paládio

2,0

0,016

W

W/℃

Variação da temperatura da junção do armazenamento e do funcionamento

TJ, TSTG

-65 a +150

℃

DIMENSÕES DO PACOTE

TO−220

CASO 221A−09

EDIÇÃO AA

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