Enviar mensagem
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Casa
produtos
fabricantes
Sobre nós
recursos
Envie o RFQ
transferência
Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Transistor do Mosfet do poder de NJW0281G NJW0302G, transistor de poder de NPN PNP

Transistor do Mosfet do poder de NJW0281G NJW0302G, transistor de poder de NPN PNP

Transistor do Mosfet do poder de NJW0281G NJW0302G, transistor de poder de NPN PNP
Transistor do Mosfet do poder de NJW0281G NJW0302G, transistor de poder de NPN PNP
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Transistor bipolar (BJT) NPN 250 V 15 A 30 MHz 150 W Orifício de passagem TO-3P-3L
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Pyapal
Especificações
Collector-Emitter Voltage:
250 Vdc
Tensão da Coletor-base:
250 VDC
tensão da Emissor-base:
5,0 VDC
Base Current:
1.5 Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25°C:
150 Watts
Operating and Storage Junction Temperature:
- 65 to +150 °C
Destaque:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introdução

Transistor do Mosfet do poder de NJW0281G NJW0302G, transistor de poder de NPN PNP

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
AT91SAM7S64C-AU 3522 ATMEL 14+ QFP
ATMEGA88PA-AU 3554 ATMEL 14+ QFP
BFG135 3586 14+ SOT-223
BTA40-600B 3618 ST 16+ TO-3
IR2184PBF 3650 IR 16+ DIP-8
PIC18F452-I/P 3682 MICROCHIP 13+ QFP
PC-5P-3a1b-24V 3714 Panasonic 15+
PIC18LF4520-I/PT 3746 MICROCHIP 16+ QFP
ADF4360-4BCPZ 3778 ANÚNCIO 16+ LFCSP
ADM2483BRWZ 3810 ANÚNCIO 14+ CONCESSÃO
BCM3349KFBG 3842 BROADCOM 14+ BGA
LMD18200T 3874 NS 14+ ZIP11
USBN9603-28M 3906 NS 16+ SOP-28
PIC18F2550-I/SP 3938 MICROCHIP 16+ DIP-28
IRFP360 3970 IR 13+ TO-247
HCF4053BM1 4002 ST 15+ CONCESSÃO
ADP3338AKC-1.8-RL7 4034 ANÚNCIO 16+ SOT-223
BA3308F-E2 4066 ROHM 16+ SOP-14
SPW47N60C3 4098 INF 14+ TO-247
6RI100G-160 4130 FUJI 14+ MÓDULO
AD620AN 4162 ANÚNCIO 14+ MERGULHO
AD8139ACPZ 4194 ANÚNCIO 16+ QFN
ADC0804LCN 4226 NS 16+ MERGULHO
AT89S8253-24PU 4258 ATMEL 13+ MERGULHO
DF10S 4290 SETEMBRO 15+ SMD-4
FZT651TA 4322 ZETEX 16+ SOT223
OPA4227PA 4354 BB 16+ MERGULHO
TMS320C50PQ80 4386 SI 14+ QFP
Z85C3008PSC 4418 ZILOG 14+ DIP40
GT60M104 4450 TOS 14+ TO-3PL

NJW0281G (NPN)

NJW0302G (PNP)

Transistor bipolares do poder complementar de NPN-PNP

15 AMPÈRES DE TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE 250 VOLTS, 150 WATTS

Estes dispositivos complementares são versões de um mais baixo poder transistor das saídas de áudio populares de NJW3281G e de NJW1302G. Com linearidades do ganho e desempenho superiores da área de funcionamento seguro, estes transistor são ideais para fases da saída do amplificador audio da alta fidelidade e outras aplicações lineares.

Características

• Área de funcionamento seguro excepcional

• Ganho de NPN/PNP que combina dentro de 10% de 50 miliampères a 3 A

• Linearidades excelentes do ganho

• BVCEO alto

• De alta frequência

• Estes são dispositivos Pb-livres Bene

Benefícios

• Desempenho seguro em poderes mais altos

• Características simétricas em configurações complementares

• Reprodução exata do sinal entrado

• Maior alcance dinâmico

• App alto da largura de banda do amplificador

Aplicações

• Produtos audio do consumidor da parte alta

* amplificadores da casa

* receptores da casa

• Amplificadores audio profissionais

* sistemas de som do teatro e do estádio

* sistemas de endereços públicos (PAs) MAXI

AVALIAÇÕES MÁXIMAS

Avaliação Símbolo Valor Unidade
Tensão do Coletor-emissor VCEO 250 VDC
Tensão da Coletor-base VCBO 250 VDC
Tensão da Emissor-base VEBO 5,0 VDC
Tensão do Coletor-emissor - 1,5 V VCEX 250 VDC

Corrente de coletor - corrente de coletor contínua

- Pico (nota 1)

 IC

15

30

 CAD
Atual baixo - contínuo IB 1,5 CAD
Dissipação de poder total @ TC = 25°C Paládio 150 Watts
Variação da temperatura da junção do funcionamento e do armazenamento TJ, Tstg - 65 a +150 °C

Os esforços que excedem avaliações máximas podem danificar o dispositivo. As avaliações máximas são avaliações do esforço somente. A operação funcional acima das condições operacionais recomendadas não é implicada. A exposição estendida aos esforços acima das condições operacionais recomendadas pode afetar a confiança do dispositivo.

1. Teste do pulso: Largura de pulso = 5,0 Senhora, ciclo de dever < 10="">

DIMENSÕES DO PACOTE

TO-3P-3LD

CASO 340AB-01

EDIÇÃO A

PRODUTOS RELACIONADOS
0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC

Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos de superfície das tevês da montagem dos diodos de avalancha 600W do silicone de SMBJ5.0A

Diodos de superfície das tevês da montagem dos diodos de avalancha 600W do silicone de SMBJ5.0A

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Imagem parte # Descrição
0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC

Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos de superfície das tevês da montagem dos diodos de avalancha 600W do silicone de SMBJ5.0A

Diodos de superfície das tevês da montagem dos diodos de avalancha 600W do silicone de SMBJ5.0A
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ:
20pcs
Contate-nos
Endereço: Sala 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
E-mail: sales@cmhk-ic.com
Telefone: 86-755-88367702
produtos

Microplaqueta de IC da memória Flash

Microplaqueta programável de IC

O computador IC lasca-se

Motorista ICs do diodo emissor de luz

Gestão CI do poder

Chips de circuito integrado

Unidade de Microcontrolador MCU

Motorista ICs da exposição

Módulo de potência IGBT

O amplificador IC lasca-se
Sobre nós
Sobre nós Certificado do ISO Controle de qualidade Política de privacidade Centro da ajuda
Política de privacidade | Boa qualidade de China Microplaqueta de IC da memória Flash Fornecedor. © de Copyright 2023-2024 icmemorychip.com . Todos os direitos reservados.