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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > MALHA rápida mesma IGBT do poder do transistor do Mosfet do poder STGB7NC60HDT4

MALHA rápida mesma IGBT do poder do transistor do Mosfet do poder STGB7NC60HDT4

MALHA rápida mesma IGBT do poder do transistor do Mosfet do poder STGB7NC60HDT4
MALHA rápida mesma IGBT do poder do transistor do Mosfet do poder STGB7NC60HDT4
MALHA rápida mesma IGBT do poder do transistor do Mosfet do poder STGB7NC60HDT4
MALHA rápida mesma IGBT do poder do transistor do Mosfet do poder STGB7NC60HDT4
fabricante:
Fabricante
Descrição:
IGBT 600 V 25 A 80 W Montagem em superfície D2PAK
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
tensão do Coletor-emissor:
600 V
Tensão do Emissor-coletor:
20 V
tensão do Porta-emissor:
±20 V
Corrente de coletor (pulsada):
50 A
Corrente dianteira do RMS do diodo em TC = 25°C:
20 A
Temperatura de armazenamento:
– °C 55 a 150
Temperatura de junção de funcionamento:
– °C 55 a 150
Dissipação total em TC = 25°C:
80 W
Destaque:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introdução

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
DS1245Y-100 1002 DALLAS 15+ TO-92
DS1990A-F5 1002 MÁXIMA 16+ LATA
ICL7135CPIZ 1002 INTERSIL 16+ MERGULHO
IRFP150NPBF 5000 IR 14+ TO-247
IRFP260NPBF 5000 IR 14+ TO-247
K847P 1002 VISHAY 14+ DIP16
LM301AN 1002 NS 16+ DIP8
LM35DT 1002 NS 16+ TO-220
MC34074AP 1002 EM 13+ DIP14
TC962CPA 1002 MICROCHIP 15+ DIP8
VB125ASP 1002 STM 16+ SOP-10
LT1084CT-12 1005 LT 16+ TO220
XC2C64A-7VQG44C 1005 XILINX 14+ QFP44
30344 560 BOSCH 14+ QFP
AT93C66A-10SQ-2.7 1008 ATMEL 14+ SOP8
NCP1200AP40 1008 EM 16+ DIP8
PCA82C250T/N4,118 3000 16+ SOP8
ADM5120PX-AB-T-2 1009 13+ QFP208
TDA8950J 1011 15+ ZIP23
HT8950 1012 HOLTEK 16+ MERGULHO
TDA7384 1012 ST 16+ FECHO DE CORRER
CS5550-ISZ 1022 CIRRO 14+ SSOP24
LF412CN 1022 NS 14+ DIP8
IR21141SSPBF 1031 IR 14+ SSOP24
XCF04SVOG20C 1034 XILINX 16+ CONCESSÃO
MC34084P 1050 EM 16+ DIP-14
DAC1220E 1077 SI 13+ SSOP16
AT91SAM7X256-AU 1088 ATMEL 15+ QFP
74LVX4245MTCX 1100 FSC 16+ TSSOP
ADM2582EBRWZ 1100 ANÚNCIO 16+ SOP-20

STGP7NC60HD

STGF7NC60HD - STGB7NC60HD

N-CANAL 14A - 600V - ² PAK de TO-220/TO-220FP/D

PowerMESH™ muito rápido IGBT

■MAIS BAIXA GOTA de ON-VOLTAGE (Vcesat)

■FORA DAS PERDAS INCLUA A CORRENTE DA CAUDA

■AS PERDAS INCLUEM A ENERGIA DA RECUPERAÇÃO DO DIODO

■ABAIXE A RELAÇÃO DE CRES/CIES

■OPERAÇÃO DE ALTA FREQUÊNCIA ATÉ 70 quilohertz

■ANTI DIODO PARALELO DA RECUPERAÇÃO ULTRARRÁPIDO MACIA MESMA

■PRODUTOS DA NOVA GERAÇÃO COM DISTRIBUIÇÃO MAIS APERTADA DO PARÂMETRO

DESCRIÇÃO

Usando a tecnologia de alta tensão a mais atrasada baseada em uma disposição patenteada da tira, STMicroelectronics projetou uma família avançada de IGBTs, o PowerMESH™ IGBTs, com desempenhos proeminentes. O sufixo “H” identifica uma família aperfeiçoada para aplicações de alta frequência a fim conseguir os desempenhos de comutação muito altos (tfall reduzido) que mantaining uma gota da baixa tensão.

APLICAÇÕES

■INVERSORES DE ALTA FREQUÊNCIA

■SMPS E PFC NOS AMBOS INTERRUPTOR DURO E TOPOLOGIAS RESSONANTES

■MOTORISTAS DO MOTOR

Avaliações máximas absolutas

Símbolo Parâmetro Valor Unidade

STGP7NC60HD

STGB7NC60HD

 STGF7NC60HD
VCES Tensão do Coletor-emissor (VGS = 0) 600 V
VECR Tensão do Emissor-coletor 20 V
VGE Tensão do Porta-emissor ±20 V
IC Corrente de coletor (contínua) em TC = 25°C (#) 25 10
IC Corrente de coletor (contínua) em TC = 100°C (#) 14 6
ICM (? 1) Corrente de coletor (pulsada) 50
SE Corrente dianteira do RMS do diodo em TC = 25°C 20
PTOT Dissipação total em TC = 25°C 80 25 W
Derating o fator 0,64 0,20 W/°C
VISO

A isolação suporta a A.A. da tensão.

(t = 1 segundo; Tc = 25°C)

 - 2500 V
Tstg Temperatura de armazenamento – 55 a 150 °C
Tj Temperatura de junção de funcionamento

(1?) largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.

Figura 1: Pacote

Figura 2: Diagrama esquemático interno

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