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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Transistor de comutação complementar do Mosfet do poder de NJW0302G, NPN - transistor bipolares do poder de PNP

Transistor de comutação complementar do Mosfet do poder de NJW0302G, NPN - transistor bipolares do poder de PNP

Transistor de comutação complementar do Mosfet do poder de NJW0302G, NPN - transistor bipolares do poder de PNP
Transistor de comutação complementar do Mosfet do poder de NJW0302G, NPN - transistor bipolares do poder de PNP
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
VCEO:
250 VDC
VCBO:
250 VDC
VEBO:
5.0 Vdc
VCEX:
250 Vdc
IC:
15 30 Adc
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

Transistor bipolares do poder complementar de NPN-PNP

Estes dispositivos complementares são versões de um mais baixo poder transistor das saídas de áudio populares de NJW3281G e de NJW1302G. Com linearidades do ganho e desempenho superiores da área de funcionamento seguro, estes transistor são ideais para fases da saída do amplificador audio da alta fidelidade e outras aplicações lineares.

Características

•Área de funcionamento seguro excepcional

•Ganho de NPN/PNP que combina dentro de 10% de 50 miliampères a 3 A

•Linearidades excelentes do ganho

•BVCEO alto

•De alta frequência

•Estes são dispositivos Pb-livres Bene

Benefícios

•Desempenho seguro em poderes mais altos

•Características simétricas em configurações complementares •Reprodução exata do sinal entrado

•Maior alcance dinâmico

•App alto da largura de banda do amplificador

AVALIAÇÕES MÁXIMAS

Avaliação Símbolo Valor Unidade
Tensão do Coletor-emissor VCEO 250 VDC
Tensão da Coletor-base VCBO 250 VDC
Tensão da Emissor-base VEBO 5,0 VDC
Tensão do Coletor-emissor - 1,5 V VCEX 250 VDC

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