Transistor de uso geral do transistor PNP do Mosfet do poder BC327-40
power mosfet ic
,silicon power transistors
Oferta conservada em estoque (venda quente)
Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
ESP8266EX | 5982 | ESPRESSIF | 14+ | QFN32 |
ETC1.6-4-2-3TR | 4563 | M/A-COM | 15+ | SMD |
EX5418-EG11 | 7577 | EETI | 13+ | QFN |
EXC7900-SG11 | 4967 | EETI | 13+ | QFN |
EXCCET103U | 9515 | PANASONIC | 16+ | SMD |
EZ80190AZ050SG | 2645 | ZILOG | 05+ | QFP |
F2405S-1WR2 | 4629 | MORNSUN | 16+ | SORVO |
F65550B | 1918 | MICROPLAQUETAS | 13+ | QFP |
FA5518N-A2-TE1 | 9586 | FUJITSU | 14+ | SOP-8 |
FAN1112DX | 20504 | FAIRCHILD | 16+ | TO-252 |
FAN3225TMPX | 3081 | FAIRCHILD | 16+ | DFN-8 |
FAN3225TMX | 5365 | FAIRCHILD | 13+ | SOP-8 |
FAN6862TY | 13420 | FAIRCHILD | 16+ | SSOT-6 |
FAN9612MX | 7548 | FAIRCHILD | 12+ | SOP-8 |
FC-135 32.7680KA | 4093 | EPSON | 13+ | SMD |
FCB11N60TM | 12339 | FAIRCHILD | 15+ | TO-263 |
FCX495TA | 46000 | ZETEX | 14+ | SOT-89 |
FDB3632 | 8071 | FAIRCHILD | 14+ | TO-263 |
FDC6330L | 7527 | FAIRCHILD | 04+ | SOT-163 |
FDC6420C | 20575 | FAIRCHILD | 14+ | SOT-163 |
FDD4141 | 9286 | FAIRCHILD | 16+ | TO-252 |
FDD850N10L | 20646 | FAIRCHILD | 11+ | TO-252 |
FDH055N15A | 7591 | FAIRCHILD | 15+ | TO-247 |
FDL100N50F | 3233 | FAIRCHILD | 13+ | TO-264 |
FDLL4148 | 25000 | FAIRCHILD | 15+ | LL34 |
FDMS3604S | 5436 | FAIRCHILD | 16+ | QFN |
FDMS86500L | 8142 | FAIRCHILD | 13+ | QFN-8 |
FDMS86520L | 7901 | FAIRCHILD | 15+ | QFN |
FDMS8672S | 6190 | FAIRCHILD | 16+ | QFN-8 |
FDMS8692 | 20717 | FAIRCHILD | 16+ | QFN |
Transistor de uso geral de BC327 PNP
CARACTERÍSTICAS
• Atual alto (máximo 500 miliampères)
• Baixa tensão (máximo 45 V).
APLICAÇÕES
• Interruptor e amplificação de uso geral, fases por exemplo do motorista e da saída de amplificadores audio.
DESCRIÇÃO
Transistor de PNP em um TO-92; Pacote SOT54 plástico. Complemento de NPN: BC337.
VALORES DE LIMITAÇÃO
De acordo com o sistema de avaliação máxima absoluta (IEC 134).
SÍMBOLO | PARÂMETRO | CIRCUNSTÂNCIAS | MÍNIMO. | MÁXIMO. | UNIDADE |
VCBO | tensão da coletor-base | emissor aberto | − | −50 | V |
VCEO | tensão do coletor-emissor | base aberta | − | −45 | V |
VEBO | tensão da emissor-base | coletor aberto | − | −5 | V |
IC | corrente de coletor (C.C.) | − | −500 | miliampère | |
ICM | corrente de coletor máxima | − | −1 | ||
IBM | corrente baixa máxima | − | −200 | miliampère | |
Ptot | dissipação de poder total | °C do ≤ 25 de Tamb; nota 1 | − | 625 | mW |
Tstg | temperatura de armazenamento | −65 | +150 | °C | |
Tj | temperatura de junção | − | 150 | °C | |
Tamb | temperatura ambiental de funcionamento | −65 | +150 | °C |
O transistor da nota 1. montou em uma placa dos circuitos impressos FR4.
Fig.1 simplificou o esboço (TO-92; SOT54) e símbolo.