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Mosfet de comutação de alta velocidade do poder do transistor do Mosfet do poder FS3KM-9A#B00

fabricante:
Fabricante
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Drain-source breakdown voltage:
500 V
Gate-source breakdown voltage:
±30 V
Gate-source leakage current:
±10 µA
Drain-source leakage current:
1 mA
Reverse transfer capacitance:
6 pF
tensão do Fonte-dreno:
1,5 V
Destaque:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introdução

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
ICM7211AMIQH 2177 MÁXIMA 15+ PLCC44
ICM7218BIJI 2128 INTERSIL 16+ DIP-28
ICM7555ISA+T 7263 MÁXIMA 16+ CONCESSÃO
ICS501M 13486 ICS 13+ SOP-8
ICS542MILF 2436 IDT 06+ SOP-8
IDG-2020 2483 INVENSENS 13+ QFN
IDT7132SA100P 8650 IDT 16+ MERGULHO
IDT71V124SA10PHG 2079 IDT 14+ TSOP-32
IDT7201LA50J 4619 IDT 00+ PLCC
IDT74ALVC164245PAG 6881 IDT 15+ TSSOP
IKW40T120 7085 16+ TO-247
IKW50N60T 4078 14+ TO-247
IKW75N60T 3696 13+ TO-247
IL420 3961 VISHAY 13+ DIP-6
ILQ621GB 2307 VISHAY 13+ DIP-16
ILQ74 6004 VISHAY 16+ DIP-16
IM03GR 16005 TYCO 16+ SMD
INA101AG 364 SI 12+ DIP-14
INA110SG 1498 SI 12+ CDIP-16
INA118UB 2360 SI 15+ SOIC-8
INA121U/2K5G4 2330 SI 15+ SOP-8
INA122U 3809 SI 14+ SOP-8
INA122UA 4600 SI 15+ CONCESSÃO
INA132UA/2K5 5750 SI 14+ SOP-8
INA138NA 7872 SI 16+ SOT23-5
INA155UA/2K5 6852 SI 15+ SOP-8
INA168NA/3K 4279 SI 16+ SOT23-5
INA2128U/1K 2281 SI 14+ SOP-16
INA331IDGKR 14035 SI 13+ MSOP
INA826AIDR 5661 SI 15+ SOP-8

MOSFET FS3KM-10 do PODER de MITSUBISHI Nch

USO DE COMUTAÇÃO DE ALTA VELOCIDADE

VDSS ................................................................................ 500V

RDS (SOBRE) (max) ................................................................. 4.4Ω

Identificação ......................................................................................... 3A

Viso ................................................................................ 2000V

APLICAÇÃO

Conversor de SMPS, de DC-DC, carregador de bateria, fonte de alimentação da impressora, copiadora, HDD, FDD, tevê, VCR, computador pessoal etc.

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tc = 25°C)

Símbolo Parâmetro Circunstâncias Avaliações Unidade
VDSS tensão da Dreno-fonte VGS = 0V 500 V
VGSS tensão da Porta-fonte VDS = 0V ±30 V
Identificação Drene atual 3
IDM Corrente do dreno (pulsada) 9
Paládio Dissipação de poder máxima 30 W
Tch Temperatura do canal – 55 ~ +150 °C
Tstg Temperatura de armazenamento – 55 ~ +150 °C
Viso Tensão do isolamento C.A. para 1minute, terminal a encaixotar 2000 Vrms
Peso Valor típico 2,0 g

DESENHO DE ESBOÇO

TO-220FN

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