Enviar mensagem
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Casa
produtos
fabricantes
Sobre nós
recursos
Envie o RFQ
transferência
Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > MOSFET do N-canal do mosfet CI do poder do transistor do Mosfet do poder FQP30N06

MOSFET do N-canal do mosfet CI do poder do transistor do Mosfet do poder FQP30N06

MOSFET do N-canal do mosfet CI do poder do transistor do Mosfet do poder FQP30N06
MOSFET do N-canal do mosfet CI do poder do transistor do Mosfet do poder FQP30N06
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 60 V 30A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220-3
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Drain-Source Voltage:
60 V
Gate-Source Voltage:
± 25 V
Única energia pulsada da avalancha:
280 mJ
Avalanche Current:
30 A
Repetitive Avalanche Energy:
7.9 mJ
Operating and Storage Temperature:
-55 to +175 °C
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
MCIMX535DVV1C 1066 FREESCALE 14+ BGA
MCIMX6S7CVM08AC 769 FREESCALE 16+ BGA
MCP100T-270I/TT 68000 MICROCHIP 15+ SOT23-3
MCP100T-315I/TT 57000 MICROCHIP 16+ SOT23-5
MCP100T-450I/TT 58000 MICROCHIP 10+ SOT23-3
MCP120T-315I/TT 24000 MICROCHIP 14+ SOT-23
MCP1252-33X50I/MS 6935 MICROCHIP 16+ MSOP
MCP1525T-I/TT 22350 MICROCHIP 14+ SOT23-3
MCP1700T-1802E/MB 11219 MICROCHIP 16+ SOT-89
MCP1700T-1802E/TT 17041 MICROCHIP 06+ SOT23-3
MCP1700T-3302E/MB 14911 MICROCHIP 09+ SOT-89
MCP1700T-3302E/TT 87000 MICROCHIP 12+ SOT-23
MCP1700T-5002E/TT 6249 MICROCHIP 16+ SOT-23
MCP1702T-3302E/MB 8308 MICROCHIP 13+ SOT-89
MCP1703T-5002E/DB 6320 MICROCHIP 13+ SOT-223
MCP1825ST-3302E/DB 5514 MICROCHIP 16+ SOT-223
MCP1826T-3302E/DC 6845 MICROCHIP 15+ SOT223-5
MCP2122-E/SN 7708 MICROCHIP 13+ SOP-8
MCP23S17-E/SO 8974 MICROCHIP 15+ SOP-28
MCP2551-I/SN 7779 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP2551T-E/SN 3957 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP3202-CI/SN 5841 MICROCHIP 15+ SOP-8
MCP3202-CI/SN 5770 MICROCHIP 15+ SOP-8
MCP3208-CI/P 8740 MICROCHIP 15+ MERGULHO
MCP3421AOT-E/CH 12828 MICROCHIP 16+ SOT23-6
MCP3422AO-E/SN 3875 MICROCHIP 10+ SOP-8
MCP3424-E/SL 8273 MICROCHIP 16+ SOP-14
MCP3551-E/SN 7817 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP41050T-I/SN 4450 MICROCHIP 11+ SOP-8
MCP41100-I/SN 3572 MICROCHIP 15+ SOP-8

FQP30N06

MOSFET do N-canal 60V

Descrição geral

Estes transistor de efeito de campo do poder do modo do realce do N-canal são produzidos usando Fairchild proprietária, listra planar, tecnologia de DMOS.

Esta tecnologia avançada foi costurada especialmente para minimizar a resistência do em-estado, para fornecer o desempenho de comutação superior, e suporta o pulso do de alta energia no modo da avalancha e da comutação. Estes dispositivos são bem - serido para aplicações da baixa tensão tais como conversores automotivos, da C.C. da C.C., e eficiência elevada que comuta para a gestão do poder em produtos portáteis e a pilhas.

Características

• 30A, 60V, RDS (sobre) = 0.04Ω @VGS = 10 V

• Baixa carga da porta (19 típicos nC)

• Baixo Crss (40 típicos PF)

• Interruptor rápido

• a avalancha 100% testou

• Capacidade melhorada de dv/dt

• avaliação máxima da temperatura de junção 175°C

Avaliações máximas absolutas TC = 25°C salvo disposição em contrário

Símbolo Parâmetro FQP30N06 Unidades
VDSS Tensão da Dreno-fonte 60 V
Identificação

Drene atual - contínuo (TC = 25°C)

- Contínuo (TC = 100°C)

 30
21,3
IDM Drene atual - pulsado (nota 1) 120
VGSS Tensão da Porta-fonte ± 25 V
EAS Única energia pulsada da avalancha (nota 2) 280 mJ
IAR Corrente da avalancha (nota 1) 30
ORELHA Energia repetitiva da avalancha (nota 1) 7,9 mJ
dv/dt Recuperação máxima dv/dt do diodo (nota 3) 7,0 V/ns
Paládio

Dissipação de poder (TC = 25°C)

- Derate acima de 25°C

 79 W
0,53 W/°C
TJ, TSTG Variação da temperatura do funcionamento e do armazenamento -55 a +175 °C
TL Temperatura máxima para finalidades de solda, 1/8" da ligação do argumento por 5 segundos 300 °C

PRODUTOS RELACIONADOS
0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC

Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos de superfície das tevês da montagem dos diodos de avalancha 600W do silicone de SMBJ5.0A

Diodos de superfície das tevês da montagem dos diodos de avalancha 600W do silicone de SMBJ5.0A

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Imagem parte # Descrição
0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC

Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos de superfície das tevês da montagem dos diodos de avalancha 600W do silicone de SMBJ5.0A

Diodos de superfície das tevês da montagem dos diodos de avalancha 600W do silicone de SMBJ5.0A
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ:
20pcs
Contate-nos
Endereço: Sala 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
E-mail: sales@cmhk-ic.com
Telefone: 86-755-88367702
produtos

Microplaqueta de IC da memória Flash

Microplaqueta programável de IC

O computador IC lasca-se

Motorista ICs do diodo emissor de luz

Gestão CI do poder

Chips de circuito integrado

Unidade de Microcontrolador MCU

Motorista ICs da exposição

Módulo de potência IGBT

O amplificador IC lasca-se
Sobre nós
Sobre nós Certificado do ISO Controle de qualidade Política de privacidade Centro da ajuda
Política de privacidade | Boa qualidade de China Microplaqueta de IC da memória Flash Fornecedor. © de Copyright 2023 icmemorychip.com . Todos os direitos reservados.