Mosfet CI do poder do transistor do Mosfet do poder de IRFB20N50KPBF
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Pulsed Drain Current:
80 A
Power Dissipation:
280 W
Linear Derating Factor:
2.2 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 30 V
Recuperação máxima dv/dt do diodo:
6,9 V/ns
Operating Junction and Storage Temperature:
-55 to + 150°C
Destaque:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introdução
Oferta conservada em estoque (venda quente)
| Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
| MMBT4403LT1G | 24000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
| MMBT5401LT1G | 27000 | EM | 16+ | SOT-23 |
| MMBT5550 | 9000 | FSC | 08+ | SOT-23 |
| MMBT5551LT1G | 15000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
| MMBT6427 | 9000 | FSC | 08+ | SOT-23 |
| MMBTA06-7-F | 9000 | DIODOS | 15+ | SOT-23 |
| MMBTA13LT1G | 9000 | EM | 16+ | SOT-23 |
| MMBTA14 | 6000 | FSC | 05+ | SOT23-3 |
| MMBTA42LT1G | 9000 | LRC | 15+ | SOT-23 |
| MMBZ5230BLT1G | 18000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
| MMBZ5234BLT1G | 18000 | EM | 15+ | SOT-23 |
| MMBZ5248BLT1G | 18000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
| MMBZ5257BLT1G | 18000 | LRC | 15+ | SOT-23 |
| MMBZ5V6ALT1G | 18000 | EM | 10+ | SOT-23 |
| MMSZ2V4T1G | 12000 | EM | 14+ | SOD-123 |
| MMSZ2V7T1G | 9000 | EM | 16+ | SOD-123 |
| MMSZ4681T1G | 12000 | EM | 15+ | SOD-123 |
| MMSZ4684T1G | 12000 | EM | 15+ | SOD-123 |
| MMSZ4689T1G | 9000 | EM | 16+ | SOD-123 |
| MMSZ5234B-7-F | 12000 | DIODOS | 12+ | SOD-123 |
| MMSZ5243BT1G | 21000 | LRC | 15+ | SOD-123 |
| MMSZ5250BT1G | 21000 | EM | 16+ | SOD-123 |
| MMSZ5254BT1G | 9000 | EM | 14+ | SOD-323 |
| MMSZ5255B | 9000 | DIODOS | 16+ | SOD-123 |
| MMSZ6V2T1G | 9000 | EM | 13+ | SOD-123 |
| MOC3022S-TA1 | 22000 | LITEON | 15+ | SMD |
| MOC3023M | 14343 | FSC | 16+ | DIP-6 |
| MOC3023SR2M | 7397 | FSC | 16+ | SOP-6 |
| MOC3023S-TA1 | 30000 | LITEON | 14+ | SMD-6 |
| MOC3030 | 6391 | FSC | 14+ | DIP-6 |
MOSFET de IRFB20N50KPbF SMPS
HEXFET? MOSFET do poder
Aplicações
- Fonte de alimentação do modo do interruptor (SMPS)
- Fonte de alimentação ininterrupta
- Interruptor de alta velocidade do poder
- Circuitos duramente comutados e de alta frequência
- Sem chumbo
Benefícios
- Baixos resultados de Qg da carga da porta na exigência simples da movimentação
- Porta, avalancha e aspereza melhoradas de Dynamicdv/dt
- Capacidade e tensão e corrente inteiramente caracterizadas de avalancha
- Baixo RDS (sobre)
Avaliações máximas absolutas
| Parâmetro | Máximo. | Unidades | |
| Identificação @ TC = 25°C | Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V | 20 | |
| Identificação @ TC = 100°C | Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V | 12 | |
| IDM | Corrente pulsada do dreno? | 80 | |
| Paládio @TC = 25°C | Dissipação de poder | 280 | W |
| Fator Derating linear | 2,2 | W/°C | |
| VGS | Tensão da Porta-à-fonte | ± 30 | V |
| dv/dt | Recuperação máxima dv/dt do diodo | 6,9 | V/ns |
|
TJ TSTG |
Junção de funcionamento e Variação da temperatura do armazenamento |
-55 + a 150 | °C |
| Temperatura de solda, por 10 segundos (1.6mm do caso) | 300 | °C | |
| Montando o torque, o 6-32 ou o parafuso M3 | 10 | N |
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