Enviar mensagem
Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Transistor do canal IGBT do silicone N do transistor do Mosfet do poder RJH60F7ADPK-00#T0

Transistor do canal IGBT do silicone N do transistor do Mosfet do poder RJH60F7ADPK-00#T0

fabricante:
Fabricante
Descrição:
IGBT Trench 600 V 90 A 328.9 W Through Hole TO-3P
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Collector to emitter voltage:
600 V
Gate to emitter voltage:
±30 V
Collector peak current:
180 A
Coletor do emissor do diodo à corrente de pico para a frente:
100 A
Collector dissipation:
328.9 W
Junction temperature:
150 °C
Destaque:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introdução

RJH60F7ADPK

Interruptor de alta velocidade do poder do canal IGBT do silicone N

Características

  • Baixo coletor à tensão de saturação VCE do emissor (sentado) = tipo de 1,35 V. (em IC = 50 A, VGE = 15V, Ta = 25°C)
  • Construído no diodo rápido da recuperação em um pacote
  • Porta da trincheira e tecnologia fina da bolacha
  • Interruptor de alta velocidade tf = tipo de 95 ns. (em IC = 30 A, carga Resistive, VCC = 300 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C)

Avaliações máximas absolutas (Tc = 25°C)

Artigo Símbolo Avaliações Unidade
Coletor à tensão do emissor VCES 600 V
Porta à tensão do emissor VGES ±30 V
Corrente de coletor Tc = 25°C IC 90
Tc = 100°C IC 50
Corrente máxima do coletor CI (pico) Note1 180
Coletor do emissor do diodo à corrente de pico para a frente DF (pico) Note2 100
Dissipação do coletor PC 328,9 W
Junção para encaixotar a impedância térmica (IGBT) θj-c 0,38 °C/W
Junção para encaixotar a impedância térmica (diodo) θj-c 2,0 °C/W
Temperatura de junção Tj 150 °C
Temperatura de armazenamento Tstg – 55 a +150 °C

Notas: 1. largura de pulso limitada pela área de funcionamento seguro.

2. μs do ≤ 5 do picowatt, ≤ 1% do ciclo de dever

Esboço

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
U2010B-MFPG3 6996 ATMEL 16+ SOP-16
U2010B-MFPG3Y 27516 ATMEL 14+ SOP-16
U211B 4332 ATMEL 16+ SOP-16
S558-5999-U7-F 15230 BEL 16+ SOP-16
S558-5999-Z5-F 17540 BEL 14+ SOP-16
S558-5500-25-F 14260 BELFUSE 16+ SOP-16
TG01-0756NTR 12753 HALO 04+ SOP-16
TG110-S050N2 12084 HALO 15+ SOP-16
TG43-1406NTR 6264 HALO 13+ SOP-16
SG3846DW 29768 LINFINITY 13+ SOP-16
TC500ACOE 2656 MICROCHIP 13+ SOP-16
SN74LS157DR 11842 MOT 16+ SOP-16
PS2501-4 11798 NEC 16+ SOP-16
UPC1099GS-E2 17776 NEC 15+ SOP-16
SA604AD 9976 16+ SOP-16
TEA1062AT/C4 16528 08+ SOP-16
TEA1610T 14196 16+ SOP-16
TEA1751LT 33460 16+ SOP-16
MC14551BDR2G 2756 EM 15+ SOP-16
TEA1112AT/C1 5780 PHILIPS 03+ SOP-16
PT2260-R4S 15836 PTC 16+ SOP-16
T1094NL 8336 PULSO 16+ SOP-16
RDA5807SP 13334 RDA 16+ SOP-16
PS2801-4 15384 RENESAS 16+ SOP-16
PS2801-4-F3-A 24660 RENESAS 14+ SOP-16
PS2801C-4 12312 RENESAS 14+ SOP-16
PS2845 2183 RENESAS 16+ SOP-16
RT9206PS 11424 RICHTEK 15+ SOP-16
RT9206 28860 RTCHTEK 16+ SOP-16
SI3000-C-FSR 4640 SILICONE 12+ SOP-16

PRODUTOS RELACIONADOS
Imagem parte # Descrição
0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Retificador MEGA SOD123  da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC

Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos de superfície das tevês da montagem dos diodos de avalancha 600W do silicone de SMBJ5.0A

Diodos de superfície das tevês da montagem dos diodos de avalancha 600W do silicone de SMBJ5.0A

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ:
20pcs