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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Transistor de uso geral do npn do transistor do Mosfet do poder STP75NF75

Transistor de uso geral do npn do transistor do Mosfet do poder STP75NF75

Transistor de uso geral do npn do transistor do Mosfet do poder STP75NF75
Transistor de uso geral do npn do transistor do Mosfet do poder STP75NF75
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Drain-source voltage:
75 V
Drain-gate voltage:
75 V
Gate-source voltage:
± 20 V
Peak diode recovery voltage slope:
12 V/ns
Single pulse avalanche energy:
700 mJ
Operating junction & Storage temperature:
-55 to 175 °C
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

STB75NF75

STP75NF75 - STP75NF75FP

N-canal 75V - 0.0095Ω - 80A - TO-220 - TO-220FP -

MOSFETdopoderde D2PAKSTripFET™II

Características gerais

Tipo VDSS RDS (sobre) Identificação
STB75NF75 75V <0>80A (1)
STP75NF75 75V <0>80A (1)
STP75NF75FP 75V <0>80A (1)

1. Corrente limitada pelo pacote

■Capacidade excepcional de dv/dt

■a avalancha 100% testou

Descrição

Esta série do MOSFET do poder realizou com STMicroelectronics que o processo original de STripFET™ foi projetado especificamente minimizar a capacidade da entrada e a carga da porta. É consequentemente apropriado como o interruptor preliminar em conversores isolados de grande eficacia, de alta frequência avançados de DC-DC para aplicações informáticas das telecomunicações e. Igualmente pretende-se para todas as aplicações com baixas exigências da movimentação da porta.

Aplicações

■Aplicação de comutação

Avaliações máximas absolutas

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
D2PAK/TO-220 TO-220FP
VDS tensão da Dreno-fonte (VGS = 0) 75 V
VDGR tensão da Dreno-porta (RGS = 20KΩ) 75 V
VGS tensão da Porta-fonte ± 20 V
Identificação (1) Drene atual (contínuo) em TC = 25°C 80 80
Identificação (1) Drene atual (contínuo) em TC = 100°C 70 70
IDM (2) Corrente do dreno (pulsada) 320 320
PTOT Dissipação total em TC = 25°C 300 45 W
Derating o fator 2,0 0,3 W/°C
dv/dt (3) Inclinação máxima da tensão da recuperação do diodo 12 V/ns
EAS (4) Única energia da avalancha do pulso 700 mJ
VISO A isolação suporta a tensão (RMS) de todos os três conduz ao dissipador de calor externo (t=1s; TC =25°C) -- 2000 V

TJ

Tstg

Temperatura de junção de funcionamento

Temperatura de armazenamento

 -55 a 175 °C

1. Corrente limitada pelo pacote

2. Largura de pulso limitada pela área de funcionamento seguro

3. ≤ 80A do ISD, di/dt ≤300A/µs, ≤ V de VDD (BR) DSS, ≤ TJMAX de Tj

4. Começando TJ = 25°C, identificação = 40A, VDD = 37.5V

Diagrama esquemático interno

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
STM32F102C8T6 2660 ST 13+ QFP48
STM32F102CBT6 16078 ST 11+ QFP48
STP24DP05BTR 2828 ST 16+ QFP48
TSL1018IF 4920 ST 10+ QFP48
SC56F8034V 2006 FREESCALE 16+ QFP44
SC79854-64J01 15168 MOT 16+ QFP44
UDA1355H 1895 02+ QFP44
TDA9859H/V2 3086 PHI 13+ QFP44
SAA5284GP 2759 PHILIPS 10+ QFP44
TW9900-TA1-GR 3044 INTERSIL 16+ QFP32
SY55858UHG 2294 MICREL 16+ QFP32
TDA8020HL/C2 2036 11+ QFP32
STM8AF6266TC 8784 ST 13+ QFP32
STM8AF6266TCY 5788 ST 14+ QFP32
STM8L151K4T6 29952 ST 14+ QFP32
STM8L152K6T6 2351 ST 16+ QFP32
STM8S005K6T6C 41128 ST 15+ QFP32
STM8S903K3T6CTR 21420 ST 16+ QFP32
STI5105ALC 1604 ST 16+ QFP216
SLA913FFOR 692 EPSON 10+ QFP160
STM32F405ZGT6 572 ST 16+ QFP144
S1D13506F00A200 743 EPSON 13+ QFP128
TW2866-LC1-CR 2015 INTERSIL 14+ QFP128
TW2868-LA2-CR 1586 INTERSIL 16+ QFP128
W83627HG-AW 4108 NUVOTON 13+ QFP128
RTL8110SC-GR 2972 REALTEK 16+ QFP128
RTL8204B-VC 15914 REALTEK 08+ QFP128
RTL8212-GR 1682 REALTEK 14+ QFP128
SCH5514E-NS 1829 SMSC 10+ QFP128
STV0900A 665 ST 13+ QFP128

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