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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Transistor de alta tensão do silicone do transistor NPN do Mosfet do poder de MMBTA42LT1G

Transistor de alta tensão do silicone do transistor NPN do Mosfet do poder de MMBTA42LT1G

Transistor de alta tensão do silicone do transistor NPN do Mosfet do poder de MMBTA42LT1G
Transistor de alta tensão do silicone do transistor NPN do Mosfet do poder de MMBTA42LT1G
Transistor de alta tensão do silicone do transistor NPN do Mosfet do poder de MMBTA42LT1G
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Collector−Emitter Voltage:
300 Vdc
Collector−Base Voltage:
300 Vdc
Emitter−Base Voltage:
6.0 Vdc
Collector Current (Continuous):
500 mAdc
Junction and Storage Temperature:
−55 to +150 °C
Package:
SOT−23
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

MMBTA42LT1G, MMBTA43LT1G

Transistor de alta tensão

Silicone de NPN

Características

• Estes dispositivos são Pb−Free, halogênio Free/BFR livre e são RoHS complacente

AVALIAÇÕES MÁXIMAS

Característica Símbolo Valor Unidade

Tensão MMBTA42 de Collector−Emitter

MMBTA43

 VCEO

300

200

 VDC

Tensão MMBTA42 de Collector−Base

MMBTA43

 VCBO

300

200

 VDC

Tensão MMBTA42 de Emitter−Base

MMBTA43

 VEBO

6,0

6,0

 VDC
− da corrente de coletor contínuo IC 500 mAdc

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS

Característica Símbolo Valor Unidade

Placa total da dissipação FR−5 do dispositivo

(Nota 1) Ta = 25°C

Derate acima de 25°C

 Paládio

225

1,8

mW

mW/°C

Resistência térmica, Junction−to−Ambient

 RθJA

556

 °C/W

Carcaça total da alumina da dissipação do dispositivo

(Nota 2) Ta = 25°C

Derate acima de 25°C

 Paládio

300

2,4

mW

mW/°C
Resistência térmica, Junction−to−Ambient RθJA 417 °C/W
Temperatura da junção e de armazenamento TJ, Tstg −55 a +150 °C

Os esforços que excedem avaliações máximas podem danificar o dispositivo. As avaliações máximas são avaliações do esforço somente. A operação funcional acima das condições operacionais recomendadas não é implicada. A exposição estendida aos esforços acima das condições operacionais recomendadas pode afetar a confiança do dispositivo.

1. FR−5 = 1,0 x 0,75 x 0,062 dentro.

2. Alumina = 0,4 x 0,3 x 0,024 dentro. alumina 99,5%.

DIMENSÕES DO PACOTE

SOT−23 (TO−236)

CASO 318−08

EDIÇÃO AP

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
LPC4078FBD208 2821 16+ QFP208
LPS331APTR 6770 ST 16+ LGA16
LPS4012-152MLC 4955 COILCRAFT 08+ SMD
LPS6225-103MLC 9148 COILCRAFT 16+ SMD
LQG18HNR10J00D 24000 MURATA 16+ SMD
LQH32CNR47M33L 113000 MURATA 15+ SMD
LQH43MN1R0M03L 13000 MURATA 16+ SMD
LQW15AN13NG00D 3000 MURATA 15+ SMD
LQW18AN3N9C10D 16000 MURATA 13+ SMD
LQW18ANR22G00D 12000 MURATA 15+ SMD
LQW2BASR15J00L 61000 MURATA 15+ SMD
LQW2BHNR47K03L 55000 MURATA 16+ SMD
LS4448-GS08 20000 VISHAY 16+ LL34
LSM303DLHTR 10067 ST 16+ LGA
LT1004CDR-2-5 3519 SI 12+ SOP-8
LT1009IS8#PBF 7519 LINEAR 14+ SOP-8
LT1013DIDR 7843 SI 16+ SOP-8
LT1072CN8 8677 LT 13+ DIP-8
LT1085CT-12 4387 LT 16+ TO-220
LT1117CST 1387 LINEAR 15+ SOT223
LT1373CS8 4358 LT 13+ SOP-8
LT1460GIZ-5 3179 LT 16+ TO-92
LT1611CS5 15029 LT 15+ SOT23-5
LT1764AEQ-1.5#PBF 4513 LINEAR 14+ TO-263
LT1764AEQ-1.8#TRPBF 2400 LT 09+ TO263-5
LT1764AEQ-3.3 3962 LT 15+ TO-263
LT1783CS5 3598 LT 14+ SOT-153
LT1806CS8 3157 LT 14+ CONCESSÃO
LT1931AES5#TRPBF 4880 LINEAR 06+ SOT23-5
LT1931ES5#TRPBF 4368 LINEAR 16+ SOT23-5

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