Enviar mensagem
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Casa
produtos
fabricantes
Sobre nós
recursos
Envie o RFQ
transferência
Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Transistor transistor de efeito de campo duplo de N do Mosfet do poder de NDS9952A & de P-canal

Transistor transistor de efeito de campo duplo de N do Mosfet do poder de NDS9952A & de P-canal

Transistor transistor de efeito de campo duplo de N do Mosfet do poder de NDS9952A & de P-canal
Transistor transistor de efeito de campo duplo de N do Mosfet do poder de NDS9952A & de P-canal
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Mosfet Array 30V 3,7A, 2,9A 900mW Montagem em superfície 8-SOIC
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão da Dreno-fonte:
30 ou -30 V
Tensão da Porta-fonte:
± 20 V
Dissipação de poder para a operação dupla:
2 W
Temperatura do funcionamento e de armazenamento:
°C -55 a 150
Resistência térmica, junção-à-ambiental:
78 °C/W
Resistência térmica, junção-à-caso:
40 °C/W
Destaque:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introdução

NDS9952A

Transistor de efeito de campo duplo do modo do realce de N & de P-canal

Descrição geral

Este os transistor duplos do n e de efeito de campo do poder do modo do realce do P-canal são produzidos usando Fairchild proprietária, densidade de pilha alta, tecnologia de DMOS. Este processo mesmo do alto densidade é costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado, para fornecer o desempenho de comutação superior, e para suportar pulsos do de alta energia nos modos da avalancha e da comutação. Estes dispositivos são seridos particularmente para aplicações da baixa tensão tais como a gestão do poder do laptop e outros circuitos a pilhas onde o interruptor rápido, a baixa em-linha perda de poder, e a resistência aos transeuntes são necessários.

Características

  • N-canal 3.7A, 30V, RDS (SOBRE) =0.08W @ VGS =10V.
  • P-canal -2.9A, -30V, RDS (SOBRE) =0.13W @ VGS =-10V.
  • Projeto da pilha do alto densidade ou extremamente - baixo RDS (SOBRE).
  • Poder superior e capacidade de manipulação atual em um pacote de superfície amplamente utilizado da montagem.
  • (N & P-canal) MOSFET duplo no pacote da montagem da superfície.

Avaliações máximas absolutas Ta = 25°C salvo disposição em contrário

Símbolo Parâmetro N-canal P-canal Unidades
VDSS Tensão da Dreno-fonte 30 -30 V
VGSS Tensão da Porta-fonte ± 20 ± 20 V
Identificação

Drene atual - contínuo (nota 1a)

- Pulsado

 ± 3,7 ± 2,9
± 15 ± 150
Paládio Dissipação de poder para a operação dupla 2 W

Dissipação de poder para a única operação (nota 1a)

(Nota 1b)

(Nota 1c)

 1,6
1
0,9
TJ, TSTG Variação da temperatura do funcionamento e do armazenamento -55 a 150 °C

Notas: 1. RθJA é a soma do junção-à-caso e da resistência térmica caso-à-ambiental onde a referência térmica do caso é definida como a superfície de montagem da solda dos pinos do dreno. RθJC está garantido pelo projeto quando RθCA for determinado pelo projeto da placa do usuário.

RθJA típico para a única operação do dispositivo usando as disposições da placa mostradas abaixo em 4,5"” PWB de FR-4 x5 em um ambiente de ar imóvel:

a. 78℃/W quando montou em um 0,5 na almofada2 do cpper 2oz.

b. 125℃/W quando montou em um 0,02 na almofada2 do cpper 2oz.

c. 135℃/W quando montou em um 0,003 na almofada2 do cpper 2oz.

Escala 1: 1 no papel de tamanho de letra

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
LTC4301CMS8 4300 LINEAR 16+ MSOP-8
LTC4311ISC6 3092 LT 15+ SC70
LTC4357CMS8#PBF 3990 LINEAR 16+ MSOP-8
LTC4365CTS8 4339 LINEAR 16+ SOT-23
LTC4365CTS8#TRPBF 4310 LINEAR 15+ SOT23-6
LTC4425EMSE#TRPBF 2954 LINEAR 16+ MSOP-12
LTC6903CMS8#PBF 6610 LT 14+ MSOP-8
LTC6903IMS8#PBF 5190 LT 11+ MSOP-8
LTC6908IS6-1 3669 LT 16+ SOT23-6
LTC6930CMS8-4.19#PBF 6620 LT 16+ MSOP-8
LTM8045IY#PBF 2038 LINEAR 12+ BGA40
LTST-C150KSKT 12000 LITEON 13+ SMD
LTST-C170KGKT 9000 LITEON 15+ Diodo emissor de luz
LTST-C171KRKT 9000 LITEON 16+ SMD
LTST-C190KGKT 9000 LITEON 15+ SMD0603
LTST-C191KGKT 12000 LITEON 16+ SMD
LTST-C193KRKT-5A 21000 LITEON 15+ SMD
LTST-S220KRKT 116000 LITE-ON 16+ Diodo emissor de luz
LTV354T 18000 LITEON 14+ SOP-4
LTV-356T 119000 LITEON 14+ SMD-4
LTV356T-D 47000 LITEON 14+ SOP-4
LTV4N25 72000 LITEON 16+ MERGULHO
LTV817C 12000 LITEON 14+ MERGULHO
LTV-817S-TA1-A 56000 LITE-ON 13+ SMD-4
LTV827 62000 LITEON 16+ DIP-8
LTV847S 19474 LITEON 13+ SOP-16
LX6503IDW 9119 CAM 09+ SOP-16
LXT6234QE BO 4013 INTEL 16+ QFP100
LXT980AHC 740 INTEL 13+ QFP208
M13S2561616A-5T 9090 ESMT 14+ TSSOP

PRODUTOS RELACIONADOS
0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC

Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos de superfície das tevês da montagem dos diodos de avalancha 600W do silicone de SMBJ5.0A

Diodos de superfície das tevês da montagem dos diodos de avalancha 600W do silicone de SMBJ5.0A

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Imagem parte # Descrição
0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC

Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos de superfície das tevês da montagem dos diodos de avalancha 600W do silicone de SMBJ5.0A

Diodos de superfície das tevês da montagem dos diodos de avalancha 600W do silicone de SMBJ5.0A
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ:
20pcs
Contate-nos
Endereço: Sala 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
E-mail: sales@cmhk-ic.com
Telefone: 86-755-88367702
produtos

Microplaqueta de IC da memória Flash

Microplaqueta programável de IC

O computador IC lasca-se

Motorista ICs do diodo emissor de luz

Gestão CI do poder

Chips de circuito integrado

Unidade de Microcontrolador MCU

Motorista ICs da exposição

Módulo de potência IGBT

O amplificador IC lasca-se
Sobre nós
Sobre nós Certificado do ISO Controle de qualidade Política de privacidade Centro da ajuda
Política de privacidade | Boa qualidade de China Microplaqueta de IC da memória Flash Fornecedor. © de Copyright 2023-2024 icmemorychip.com . Todos os direitos reservados.