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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Módulo P duplo do Mosfet do poder FDS6975 - canal, MOSFET de PowerTrenchTM

Módulo P duplo do Mosfet do poder FDS6975 - canal, MOSFET de PowerTrenchTM

Módulo P duplo do Mosfet do poder FDS6975 - canal, MOSFET de PowerTrenchTM
Módulo P duplo do Mosfet do poder FDS6975 - canal, MOSFET de PowerTrenchTM
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Mosfet Array 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão da Dreno-fonte:
-30 V
Gate-Source Voltage:
±20 V
Drene atual - contínuo:
-6 A
Dissipação de poder para a operação dupla:
2 W
Temperatura do funcionamento e de armazenamento:
°C -55 a 150
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient:
78 °C/W
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

FDS6975 P-canal duplo, nível da lógica, MOSFET de PowerTrenchTM

Descrição geral

Estes MOSFETs do nível da lógica do P-canal são produzidos usando o processo avançado do PowerTrench do semicondutor de Fairchild que foi costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado no entanto para manter a baixa carga da porta para o desempenho de comutação superior.

Estes dispositivos são bem - serido para aplicações informáticas de laptop: interruptor da carga e gestão do poder, circuitos do carregamento de bateria, e conversão de DC/DC.

Características

• -6 A, -30 V. RDS (SOBRE) = 0,032 W @ VGS = -10 V,

RDS (SOBRE) = 0,045 W @ VGS = -4,5 V.

• Baixa carga da porta (14.5nC típico).

• Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (SOBRE).

• Poder superior e capacidade de manipulação atual.

Avaliações máximas absolutas Ta = 25℃ salvo disposição em contrário

Símbolo Parâmetro Avaliações Unidades
VDSS Tensão da Dreno-fonte -30 V
VGSS Tensão da Porta-fonte ±20 V
Identificação

Drene atual - contínuo (Nota 1a)

- Pulsado

 -6
-20
Paládio Dissipação de poder para a operação dupla 2 W

Dissipação de poder para a única operação (nota 1a)

(Nota 1b)

(Nota 1c)

 1,6
1
0,9
TJ, TSTG Variação da temperatura do funcionamento e do armazenamento -55 a 150 °C

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS

RθJA Resistência térmica, Junção-à-ambiental (nota 1a) 78 °C/W
RθJC Resistência térmica, Junção-à-caso (nota 1) 40 °C/W

Notas:

1. RθJA é a soma do junção-à-caso e da resistência térmica caso-à-ambiental onde a referência térmica do caso é definida como a superfície de montagem da solda dos pinos do dreno. RθJC está garantido pelo projeto quando RθCA for determinado pelo projeto da placa do usuário.

2. Teste do pulso: ≤ 300µs da largura de pulso, ≤ 2,0% do ciclo de dever.

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
IRF3707PBF 6217 IR 11+ TO-220
IRF5210PBF 2546 IR 15+ TO-220
IRF5800TRPBF 54000 IR 16+ TSOP-6
IRF6218PBF 8426 IR 06+ TO-220AB
IRF640NPBF 5610 IR 15+ TO-220
IRF640NSTRLPBF 4905 IR 16+ TO-263
IRF6638TRPBF 4492 IR 13+ SMD
IRF7303TRPBF 15463 IR 14+ SOP-8
IRF7328TRPBF 6288 IR 13+ SOP-8
IRF740B 49000 FSC 16+ TO-220
IRF740PBF 11487 IR 16+ TO-220
IRF7416TRPBF 23190 IR 16+ SOP-8
IRF7494TRPBF 9525 IR 14+ SOP-8
IRF7907TRPBF 12836 IR 13+ SOP-8
IRF8010PBF 17656 IR 16+ TO-220
IRF840PBF 14327 VISHAY 16+ TO-220
IRF8788TRPBF 21214 IR 12+ SOP-8
IRF9530NPBF 5539 IR 16+ TO-220
IRF9620PBF 3435 VISHAY 13+ TO-220
IRF9Z24N 9496 IR 16+ TO-220
IRFB3004PBF 8497 IR 09+ TO-220
IRFB31N20D 6973 IR 14+ TO-220
IRFB3207ZPBF 16234 IR 15+ TO-220
IRFB3306PBF 7959 IR 13+ TO-220
IRFB4227PBF 14319 IR 16+ TO-220
IRFB4310PBF 7645 IR 16+ TO-220
IRFB4332PBF 5199 IR 16+ TO-220
IRFB4332PBF 4735 IR 16+ TO-220
IRFB52N15DPBF 7716 IR 15+ TO-220
IRFI4019HG-117P 4847 IR 14+ TO-220-5

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