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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Canal de uso geral do transistor N do Mosfet do poder do mosfet de IRF7601PBF

Canal de uso geral do transistor N do Mosfet do poder do mosfet de IRF7601PBF

Canal de uso geral do transistor N do Mosfet do poder do mosfet de IRF7601PBF
Canal de uso geral do transistor N do Mosfet do poder do mosfet de IRF7601PBF
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem Micro8™ da superfície 1.8W do N-canal 20 V 5.7A (Ta) (Ta)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Pulsed Drain Current :
30 A
Dissipação de poder:
1,8 W
Linear Derating Factor:
14 mW/°C
Gate-to-Source Voltage:
±12 V
‚ máximo da recuperação dv/dt do diodo:
5,0 V/ns
Temperatura da junção e de armazenamento:
-55 + ao °C 150
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

MOSFET do poder de IRF7601 HEXFET®

• Tecnologia da geração V

• Em-resistência ultra baixa

• MOSFET do N-canal

• Pacote muito pequeno de SOIC

• Perfil baixo (<1>

• Disponível na fita & no carretel

• Interruptor rápido

Descrição

A quinta geração HEXFETs do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.

O pacote Micro8 novo, com metade da área da pegada do SO-8 padrão, fornece a pegada a menor disponível em um esboço de SOIC. Isto faz ao Micro8 um dispositivo ideal para as aplicações onde o espaço da placa de circuito impresso está em um prêmio. O perfil baixo (<1>

Avaliações máximas absolutas

Parâmetro Máximo. Unidades
Identificação @ TA = 25°C Corrente contínua do dreno, VGS @ 4.5V 5,7
Identificação @ TA = 70°C Corrente contínua do dreno, VGS @ 4.5V 4,6
IDM Pulsado drene o  atual 30
Paládio @TA = 25°C Dissipação de poder 1,8 W
Fator Derating linear 14 mW/°C
VGS Tensão da Porta-à-fonte ± 12 V
dv/dt ‚ máximo da recuperação dv/dt do diodo 5,0 V/ns
TJ, TSTG Variação da temperatura da junção e do armazenamento -55 + a 150 °C

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
LD1117S25TR 39000 ST 13+ SOT-223
LD1117S33CTR 32000 ST 16+ SOT-223
LD39015M18R 8024 ST 16+ SOT23-5
LD39300PT33-R 6785 ST 14+ TO-252
LD7531AMGL 16615 LD 16+ SOT23-6
LD7830GR 9996 LD 15+ SOP-8
LDB212G4005C-001 56000 MURATA 14+ SMD
LF25CDT 21498 ST 13+ TO-252
LF347MX 7640 NS 00+ SOP-14
LFB212G45SG8A192 40000 MURATA 16+ SMD
LFCN-400+ 1736 MINI 14+ SMD
LFCN-80+ 3554 MINI 15+ SMD
LFCN-900+ 3324 MINI 15+ SMD
LFE2M100E-6FN900C-5I 256 ESTRUTURA 16+ BGA900
LFXP2-8E-5TN144C 1363 ESTRUTURA 16+ QFP144
LH1518AABTR 3172 VISHAY 04+ SMD-6
LH1520AAC 8563 VISHAY 13+ SOP-8
LH1540AABTR 5958 VISHAY 00+ SOP-6
LH5116NA-10 14603 AFIADO 13+ SOP-24
LHI878/3902 14674 HEIMANN 10+ CAN-3
LIS2DH12TR 7611 ST 15+ LGA12
LIS3DHTR 4847 ST 14+ LGA16
LL4004 15000 ST 16+ LL41
LL4148-GS08 45000 VISHAY 15+ LL34
LLQ2012-F56NJ 12000 TOKO 16+ SMD
LM1086CSX-3.3 21569 NS 15+ TO-263
LM1086CT-3.3 15605 NS 15+ TO-220
LM111J-8 5202 NSC 15+ CDIP-8
LM19CIZ 4073 NS 16+ TO-92
LM201AN 4387 EM 16+ DIP-8

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