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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > MOSFET de comutação rápido IRFP260NPBF do poder do transistor do Mosfet do poder 200A

MOSFET de comutação rápido IRFP260NPBF do poder do transistor do Mosfet do poder 200A

MOSFET de comutação rápido IRFP260NPBF do poder do transistor do Mosfet do poder 200A
MOSFET de comutação rápido IRFP260NPBF do poder do transistor do Mosfet do poder 200A
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-canal 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) através do furo TO-247AC
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Pulsed Drain Current:
200 A
Dissipação de poder:
300 W
Fator derating linear:
2,0 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
±20 V
Única energia da avalancha do pulso:
560 mJ
Corrente da avalancha:
50 A
Destaque:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introdução

MOSFET do poder de IRFP260NPbF HEXFET®

• Tecnologia de processamento avançada?

• Avaliação dinâmica de dv/dt?

• temperatura de funcionamento 175°C?

• Interruptor rápido?

• Inteiramente avalancha avaliada?

• Facilidade da paralelização?

• Exigências simples da movimentação

• Sem chumbo

Descrição

A quinta geração HEXFETs do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.

O pacote TO-247 é preferido para níveis de poder mais alto comercial-industriais das aplicações onde impossibilitar o uso dos dispositivos TO-220. O TO-247 é similar mas superior ao pacote TO-218 mais adiantado devido a seu furo de montagem isolado.

Avaliações máximas absolutas

Parâmetro Máximo. Unidades
Identificação @ TC = 25°C Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V 50
Identificação @ TC = 100°C Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V 35
IDM Corrente pulsada do dreno 200
Paládio @TC = 25°C Dissipação de poder 300
Fator Derating linear 2,0 W/°C
VGS Tensão da Porta-à-fonte ±20 V
EAS Única energia da avalancha do pulso 560 mJ
IAR Corrente da avalancha? 50
ORELHA Energia repetitiva da avalancha? 30 mJ
dv/dt Recuperação máxima dv/dt do diodo 10 V/ns
TJ, TSTG Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento -55 a +175 °C
Temperatura de solda, por 10 segundos 300 (1.6mm do caso) °C
Montando o torque, o 6-32 ou o srew M3 lbfïin 10 (1.1Nïm)

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
LM2662MX 5344 SI 16+ SOP-8
LM2663M 6856 NS 16+ SOP-8
LM2675MX-5.0 5274 SI 16+ SOP-8
LM2675MX-ADJ 5415 SI 15+ SOP-8
LM2734YMK 12799 SI 16+ SOT23-6
LM2767M5X 6927 NSC 16+ SOT23-5
LM2825N-ADJ 1525 NSC 06+ DIP-24
LM2842YMK-ADJL 4655 SI 16+ SOT23-6
LM285MX-1.2 5929 NS 16+ SOP-8
LM2901DR2G 104000 EM 13+ CONCESSÃO
LM2902DR2G 77000 EM 15+ CONCESSÃO
LM2903DR2G 107000 EM 15+ CONCESSÃO
LM2903IMX 13191 FSC 11+ SOP-8
LM2904DR2G 82000 EM 16+ SOP-8
LM2904MX 11700 NS 15+ SOP-8
LM2904P 20000 SI 16+ TSSOP-8
LM2904QPWRQ1 6065 SI 14+ TSSOP-8
LM2907N-8 8781 NS 97+ DIP-8
LM2917N-8 6580 NS 13+ DIP-8
LM2931AD-5.0R2G 19723 EM 16+ SOP-8
LM2931CDR2G 14829 EM 16+ SOP-8
LM2931CDR2G 10000 EM 15+ SOP-8
LM2936MPX-3.3 9351 SI 14+ SOT-223
LM2936Z-5.0 3406 NS 05+ TO-92
LM2937ESX-3.3 9135 NSC 07+ TO-263
LM2937IMPX-3.3 1862 SI 16+ SOT-223
LM2940CSX-5.0 8095 NS 14+ TO-263
LM2940S-5.0 10367 NS 16+ TO-263
LM2940SX-5.0 8852 NS 15+ TO-263
LM2941CT 5900 NS 00+ TO-220

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