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Transistor P do Mosfet do poder de IRFR9120N - mosfet do poder do interruptor de canal

Transistor P do Mosfet do poder de IRFR9120N - mosfet do poder do interruptor de canal
Transistor P do Mosfet do poder de IRFR9120N - mosfet do poder do interruptor de canal
fabricante:
Fabricante
Descrição:
P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Corrente pulsada do dreno:
-26 A
Dissipação de poder:
40 W
Linear Derating Factor:
0.32 W/°C
Tensão da Porta-à-fonte:
± 20 V
Single Pulse Avalanche Energy:
100 mJ
 atual da avalancha:
-6,6 A
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

IRFR/U9120N

MOSFET do poder de HEXFET®

• Em-resistência ultra baixa

• P-canal

• Montagem de superfície (IRFR9120N)

• Ligação reta (IRFU9120N)

• Tecnologia de processamento avançada

• Interruptor rápido

• Inteiramente avalancha avaliada

Descrição

A quinta geração HEXFETs do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.

O D-Pak é projetado para a montagem de superfície usando a fase de vapor, o infravermelho, ou técnicas de solda da onda. A versão reta da ligação (série de IRFU) é para o através-furo que monta aplicações. Os níveis da dissipação de poder até 1,5 watts são possíveis em aplicações de superfície típicas da montagem.

Avaliações máximas absolutas

Parâmetro Máximo. Unidades
Identificação @ TC = 25°C Corrente contínua do dreno, VGS @ -10V -6,6
Identificação @ TC = 100°C Corrente contínua do dreno, VGS @ -10V -4,2
IDM Pulsado drene o  atual -26
Paládio @TC = 25°C Dissipação de poder 40 W
Fator Derating linear 0,32 W/°C
VGS Tensão da Porta-à-fonte ± 20 V
EAS Único ‚ da energia da avalancha do pulso 100 mJ
IAR  atual da avalancha -6,6
ORELHA  repetitivo da energia da avalancha 4,0 mJ
dv/dt ƒ máximo da recuperação dv/dt do diodo -5,0 V/ns
TJ, TSTG Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento -55 + a 150 °C
Temperatura de solda, por 10 segundos 300 (1.6mm do caso) °C

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
LM3102MHX 4578 NS 1540+ TSSOP-20
LM311DR 58000 SI 13+ SOP-8
LM311DT 60000 ST 16+ SOP-8
LM317AMDT 52000 NS 13+ TO-252
LM317BTG 13900 EM 11+ TO-220
LM317DCYR 20007 SI 16+ SOT-223
LM317LD13TR 17000 ST 16+ SOP-8
LM317LZ 21782 SI 15+ TO-92
LM317MBSTT3G 4644 EM 15+ SOT-223
LM317MDTRKG 5965 EM 14+ TO-252
LM317MDT-TR 59000 ST 15+ TO-252
LM317MDTX 93000 NS 14+ TO-252
LM318P 3377 SI 03+ DIP-8
LM321MFX 6036 SI 10+ SOT-23
LM324ADR 66000 SI 16+ SOP-14
LM324ADR2G 11000 EM 14+ SOP-14
LM324DR 55000 SI 16+ SOP-14
LM324MX 6674 NS 16+ SOP-14
LM324N 28000 SI 13+ DIP-14
LM336DR-2-5 6529 SI 16+ SOP-8
LM339APWR 58000 SI 14+ TSSOP-14
LM339DT 110000 ST 12+ SOP-14
LM339MX 15905 NSC 03+ SOP-14
LM3404HVMRX 14402 SI 16+ SOP-8
LM3404MAX 14745 NS 15+ SOP-8
LM340T-15 4529 NS 13+ TO-220
LM3411M5-5.0 6998 SI 00+ SOT23-5
LM3414HVMR 8906 SI 10+ SOP-8
LM347MX 5871 NSC 11+ CONCESSÃO
LM3480IM3X-3.3 15676 SI 05+ SOT23-3

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