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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > N-CANAL PowerMESH muito rápido IGBT do módulo do mosfet do poder de STGW20NC60VD

N-CANAL PowerMESH muito rápido IGBT do módulo do mosfet do poder de STGW20NC60VD

N-CANAL PowerMESH muito rápido IGBT do módulo do mosfet do poder de STGW20NC60VD
N-CANAL PowerMESH muito rápido IGBT do módulo do mosfet do poder de STGW20NC60VD
fabricante:
Fabricante
Descrição:
IGBT 600 V 60 A 200 W Through Hole TO-247-3
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Collector-Emitter Voltage:
600 V
Reverse Battery Protection:
20 V
Gate-Emitter Voltage:
± 20 V
Collector Current (pulsed):
100 A
Derating Factor:
1.6 W/°C
Storage Temperature:
-55 to 150 °C
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

STGW20NC60VD

N-CANAL 30A - 600V TO-247 PowerMESH™ rápido mesmo IGBT

Características gerais

TIPO VCES VCE (sentado) @25°C (máximo) IC @100°C
STGW20NC60VD 600 V < 2="">30 A

■FORA DAS PERDAS INCLUA A CORRENTE DA CAUDA

■AS PERDAS INCLUEM A ENERGIA DA RECUPERAÇÃO DO DIODO

■CAPACIDADE ATUAL ALTA

■OPERAÇÃO DE ALTA FREQUÊNCIA ATÉ 50 quilohertz

■DIODO ANTIPARALELO DA RECUPERAÇÃO ULTRARRÁPIDO MACIA MESMA

■ABAIXE A RELAÇÃO DE CRES /CIES

■PRODUTOS DA NOVA GERAÇÃO COM DISTRIBUIÇÃO MAIS APERTADA DO PARÂMETRO

DESCRIÇÃO

Usando a tecnologia de alta tensão a mais atrasada baseada em uma disposição patenteada da tira, STMicroelectronics projetou uma família avançada de IGBTs, o PowerMESH™ IGBTs, com desempenhos proeminentes. O sufixo “V” identifica uma família aperfeiçoada para aplicações de alta frequência.

APLICAÇÕES

■INVERSORES DE ALTA FREQUÊNCIA

■SMPS e PFC NOS AMBOS INTERRUPTOR DURO E TOPOLOGIAS RESSONANTES

■UPS

■MOTORISTAS DO MOTOR

Avaliações máximas absolutas

Símbolo Parâmetro Valor Símbolo
VCES Tensão do Coletor-emissor (VGS = 0) 600 V
VECR Proteção reversa da bateria 20 V
VGE Tensão do Porta-emissor ± 20 V
IC Corrente de coletor (contínua) em 25°C (#) 60
IC Corrente de coletor (contínua) em 100°C (#) 30
ICM (1) Corrente de coletor (pulsada) 100
Se Corrente dianteira do RMS do diodo em TC = 25°C 30
PTOT Dissipação total em TC = 25°C 200 W
Derating o fator 1,6 W/°C
Tstg Temperatura de armazenamento – 55 a 150 °C
Tj Temperatura de junção de funcionamento – 55 a 150 °C

(1) largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
R2A15908SP 7631 RENESAS 16+ SOP-28
R4363 8626 HARRIS 16+ TO-263
R5F100LEAFA#V0 1933 RENESAS 12+ LQFP-64
RA30H2127M 1228 MITSUBISH 12+ H2S
RA35H1516M 1255 MITSUBISH 15+ MERGULHO
RB160L-90 TE25 65000 ROHM 15+ SOD-106
RB160M-60 155000 ROHM 14+ SOD-123
RB450F 12000 ROHM 14+ SOT-323
RB551V-30 9000 ROHM 16+ SOD-323
RC4558DR 31000 SI 16+ SOP-8
RCLAMP0504F.TCT 64000 SEMTECH 15+ SOT-363
RCLAMP0504S.TCT 65000 SEMTECH 15+ SOT23-6
RCLAMP0524P.TCT 158000 SEMTECH 13+ SLP2510P8
RD06HVF1 2253 MITSUBISH 14+ TO-220
REF03GS 5373 DDA 16+ SOP-8
REF192FSZ 4252 ANÚNCIO 13+ SOP-8
REF192GSZ 6359 ANÚNCIO 16+ SOP-8
REF195GSZ 3984 ANÚNCIO 16+ SOP-8
REF198FS-REEL 5545 ANÚNCIO 06+ SOP-8
REF3030AIDBZR 4334 SI 15+ SOT-23
REF3040AIDBZR 4160 SI 15+ SOT-23
REF5020AIDR 3759 SI 16+ SOP-8
REF5025AIDGKR 7693 SI 15+ MSOP-8
REF5025AIDR 5866 SI 16+ SOP-8
REG113NA-3/3K 6375 SI 15+ SOT23-5
RFANT5220110A2T 48000 WALSIN 16+ SMD
RGP02-20E-E3/54 82000 VISHAY 16+ DO-41
RHRP3060 17467 FSC 14+ TO-220
RJH60F7DPQ 7148 RENESAS 13+ TO-247
RN1907FE 161000 TOSHIBA 15+ SOT-563

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