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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > TRIAC dos TRIAC SNUBBERLESS do transistor 8A do Mosfet do poder de BTA08-600BW3G

TRIAC dos TRIAC SNUBBERLESS do transistor 8A do Mosfet do poder de BTA08-600BW3G

TRIAC dos TRIAC SNUBBERLESS do transistor 8A do Mosfet do poder de BTA08-600BW3G
TRIAC dos TRIAC SNUBBERLESS do transistor 8A do Mosfet do poder de BTA08-600BW3G
fabricante:
Fabricante
Descrição:
TRIAC Standard 600 V 8 A Through Hole TO-220AB
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
RMS on-state current (full sine wave):
8 A
I² t Value for fusing:
36 A² s
Critical rate of rise of on-state current:
50 A/µs
Peak gate current:
4 A
Average gate power dissipation:
1 W
Storage junction temperature:
- 40 to + 150°C
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

Série BTA/BTB08 e T8

SNUBBERLESS™, NÍVEL DA LÓGICA & PADRÃO

TRIAC 8A

CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS:

Símbolo Valor Unidade
A TI (RMS) 8
VDRM/VRRM 600 e 800 V
IGT (Q1) 5 a 50 miliampère

DESCRIÇÃO

Disponível em pacotes do através-furo ou da superfície-montagem, na série do TRIAC BTA/BTB08 e T8 é apropriado para o interruptor de uso geral da C.A. Podem ser usados como uma função DE LIGAR/DESLIGAR nos pedidos tais como relés estáticos, regulamento do aquecimento, motor de indução que liga circuitos… ou para a operação de controle da fase em redutors leves, controladores da velocidade do motor,…

As versões snubberless (série W e T8 de BTA/BTB…) são recomendadas especialmente para o uso nas cargas indutivas, agradecimentos a seus desempenhos altos da comutação. Usando uma almofada cerâmica interna, a série de BTA fornece a tensão aba isolada (avaliada em 2500V RMS) que cumpre com os padrões do UL (referência do arquivo.: E81734)

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
A TI (RMS) Corrente do em-estado do RMS (onda de seno completa)

DPAK/² PAK DE D

IPAK/TO-220AB

 Tc = 110°C 8
Ins de TO-220AB. Tc = 100°C
ITSM Corrente máxima do em-estado do impulso não repetitivo (ciclo completo, Tj = 25°C) inicial F = 50 hertz t = Senhora 20 80
F = 60 hertz t = Senhora 16,7 84
² t de I Mim valor do ² t para fundir tp = Senhora 10 36 Um ² s
dI/dt

Taxa crítica de elevação da corrente do em-estado

IG = 2 x IGT, ≤ 100 ns do tr

 F = 120 hertz Tj = 125°C 50 A/µs
IGM Corrente máxima da porta tp = 20 µs Tj = 125°C 4
PÁGINA (AVOIRDUPOIS) Dissipação de poder média da porta Tj = 125°C 1 W

Tstg

Tj

Variação da temperatura da junção do armazenamento

Variação da temperatura de funcionamento da junção

- 40 + a 150

- 40 + a 125

 °C

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
LTC4357CMS8 1042 LT 16+ MSOP8
MSP430F149IPMR 848 SI 14+ QFP
PE-65351 654 PULSO 14+ DIP6
SIM900 760 SIM 14+ NA
TEA1523P 866 PHILIPS 16+ DIP8
AT24C512C-SSHD 972 EM 16+ SOP8
ADG5433BRUZ 1078 DDA 13+ TSSOP
740L6001 1184 FAIRCHILD 15+ DIPSOP6
EM2860 1290 EMPIA 16+ QFP
TDA7386 1396 ST 16+ FECHO DE CORRER
M48Z35-70PC1 1502 ST 14+ MERGULHO
C8051F320-GQR 1608 SILICONE 14+ QFP
PIC16C622A-04I/P 1714 MICROCHIP 14+ MERGULHO
MX29GL128ELT2I-90G 1820 MXIC 16+ TSOP-56
BTS621L1 1926 16+ TO-263
HCNW2611 2032 AVAGO 13+ SOP-8
STM32F103C8T6 2138 ST 15+ LQPF48
LT3756EMSE-2#PBF 2244 LT 16+ MSOP-16
BD82QM67/SLJ4M 2350 INTEL 16+ BGA
A3977SEDTR 2456 ALLEGRO 14+ PLCC44
RHRG30120 2562 FSC 14+ TO-3P
FT232RL 2668 FTDI 14+ SSOP28
L6228D 2774 ST 16+ SOP24
LPC2136 2880 16+ LQFP64
1N4937 2986 EM 13+ DO-41
5KP24A 3092 VISHAY 15+ R-6
74C922N 3198 FSC 16+ MERGULHO
IRF1404PBF 3304 IR 16+ TO-220
M41T94MQ6 3410 ST 14+ SOP-16
OP275G 3516 ANÚNCIO 14+ DIP-8

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