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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Módulo 25 do mosfet do poder de BTA24-600BWRG um padrão e TRIAC de Snubberless

Módulo 25 do mosfet do poder de BTA24-600BWRG um padrão e TRIAC de Snubberless

Módulo 25 do mosfet do poder de BTA24-600BWRG um padrão e TRIAC de Snubberless
Módulo 25 do mosfet do poder de BTA24-600BWRG um padrão e TRIAC de Snubberless
fabricante:
Fabricante
Descrição:
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 25 A Through Hole TO-220
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
I² t Value for fusing:
340 A² s
Critical rate of rise of on-state current:
50 A/µs
Peak gate current:
4 A
Average gate power dissipation:
1 W
Storage junction temperature:
- 40 to + 150°C
Operating junction temperature:
- 40 to + 125°C
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

BTA24, BTB24, BTA25

BTA26, BTB26, T25

Uns 25 padrões e TRIAC de Snubberless™

Características

■TRIAC atual alto

■Baixa resistência térmica com ligação do grampo

■Comutação alta (4 quadrantes) ou capacidade muito alta da comutação (3 quadrantes)

■Série UL1557 de BTA certificada (referência do arquivo: 81734)

■Os pacotes são RoHS (2002/95/EC) complacente

Aplicações

As aplicações incluem a função DE LIGAR/DESLIGAR nos pedidos tais como relés estáticos, regulamento do aquecimento, motor de indução que ligam circuitos, etc., ou para a operação de controle da fase em redutors, em controladores da velocidade do motor, e em silmilar claros.

As versões snubberless (série W e T25 de BTA/BTB…) são recomendadas especialmente para o uso em cargas indutivas, devido a seus desempenhos altos da comutação. A série de BTA fornece uma aba isolada (avaliada em 2500 VRMS).

Descrição

Disponível em pacotes do através-furo ou da superfície-montagem, na série do TRIAC BTA24, BTB24, BTA25, BTA26, BTB26 e T25 é apropriado para o interruptor de uso geral da C.A. do poder de canos principais.

Avaliações máximas absolutas

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
A TI (RMS) Corrente do em-estado do RMS (onda de seno completa) TOP3 Tc = 105°C 25
D2PAK/TO-220AB Tc = 100°C
RD91 Ins do Ins/TOP3. Tc = 100°C
Ins de TO-220AB. Tc = 75°C
ITSM Corrente máxima do em-estado do impulso não repetitivo (ciclo completo, Tj inicial = 25° C) F = 50 hertz t = Senhora 20 250
F = 60 hertz t = Senhora 16,7 260
² t de I Mim valor do ² t para fundir tp = Senhora 10 340 Um ² s
dI/dt

Taxa crítica de elevação da corrente do em-estado

IG = 2 x IGT, ≤ 100 ns do tr

 F = 120 hertz Tj = 125°C 50 A/µs
VDSM/VRSM Tensão máxima do fora-estado do impulso não repetitivo tp = Senhora 10 Tj = 25°C VDRM/VRRM + 100 V
IGM Corrente máxima da porta tp = 20 µs Tj = 125°C 4
PÁGINA (AVOIRDUPOIS) Dissipação de poder média da porta Tj = 125°C 1 W

Tstg

Tj

Variação da temperatura da junção do armazenamento

Variação da temperatura de funcionamento da junção

- 40 + a 150

- 40 + a 125

 °C

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
HD74LS86 771 HITACHI 13+ DIP14
MID400 771 FAIRCHILD 15+ SOP8
PIC16F876A-I/SO 771 MICROCHIP 16+ CONCESSÃO
J0026D01BNL 777 PULSO 16+ RJ45
AF4502C 780 ANACHIP 14+ SOP-8
ACS712ELCTR-20A 782 ALLEGRO 14+ CONCESSÃO
IRF520 782 IR 14+ TO-220
IRFB4710 782 IR 16+ TO-220
CD4099BE 785 SI 16+ MERGULHO
ENC28J60-I/SO 785 MICROCHIP 13+ CONCESSÃO
BTA41-800B 795 ST 15+ TO-3P
PIC16F883-I/SO 799 MICROCHIP 16+ CONCESSÃO
2SD1406-Y 800 TOS 16+ TO-3P
TOP414GN 800 PODER 14+ SOP-8
TDA7253 802 ST 14+ FECHO DE CORRER
L4960 822 ST 14+ FECHO DE CORRER
STPS1045D 822 ST 16+ TO-220
AP919 881 VALENCE 16+ TQFP
ADC0804 887 NS 13+ CONCESSÃO
AM26LV31CDR 888 SI 15+ SOP-16
EPM2210F324I5N 888 ALTERA 16+ BGA
LTC1628IG 888 LINEAR 16+ SSOP
CD4012BE 899 SI 14+ MERGULHO
G4PC30UD 900 IR 14+ TO-3P
PT2272-M6 900 PTC 14+ MERGULHO
RHRP30120 900 FAIRCHILD 16+ TO-220
MP4211 910 TOSHIBA 16+ NA
AD7740YRMZ 911 ANÚNCIO 13+ MSOP-8
FOD260L 922 FSC 15+ DIP-8
PIC16F916-I/SP 922 MICROCHIP 16+ MERGULHO

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