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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Transistor de efeito de campo complementar do modo do realce do transistor do Mosfet do poder AO4620

Transistor de efeito de campo complementar do modo do realce do transistor do Mosfet do poder AO4620

Transistor de efeito de campo complementar do modo do realce do transistor do Mosfet do poder AO4620
Transistor de efeito de campo complementar do modo do realce do transistor do Mosfet do poder AO4620
Transistor de efeito de campo complementar do modo do realce do transistor do Mosfet do poder AO4620
Transistor de efeito de campo complementar do modo do realce do transistor do Mosfet do poder AO4620
Transistor de efeito de campo complementar do modo do realce do transistor do Mosfet do poder AO4620
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Mosfet Array 30V 2W Surface Mount 8-SOIC
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Drain-Source Voltage:
30 / -30 V
Gate-Source Voltage:
±20 V
Pulsed Drain Current:
30 / -30 A
Avalanche Current:
13 / 17 A
Repetitive avalanche energy 0.3mH:
25 / 43 mJ
Junction and Storage Temperature:
-55 to 150°C
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

Transistor de efeito de campo complementar do modo do realce AO4620

Descrição geral

O AO4620 usa MOSFETs avançados da tecnologia da trincheira para fornecer o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta. Os MOSFETs complementares podem ser usados no inversor e nas outras aplicações. O produto padrão AO4620 é Pb-livre (reuniões ROHS & Sony 259 especificações).

Características

n-canal p-canal

VDS (v) = 30V -30V

Identificação = 7.2A (VGS =10V) -5.3A (VGS = -10V)

RDS (SOBRE) RDS (SOBRE)

< 24m="">GS=10V)< 38m=""> GS = -10V)

< 36m="">GS=4.5V) < 60m=""> GS = -4.5V)

Avaliações máximas absolutas Ta =25°C salvo disposição em contrário

Parâmetro Símbolo N-canal máximo P-canal máximo Unidades
Tensão da Dreno-fonte VDS 30 -30 V
Tensão da Porta-fonte VGS ±20 ±20 V
Dreno contínuo F atual Ta =25°C Identificação 7,2 -5,3
Ta =70°C 6,2 -4,5
Dreno pulsado B atual IDM 30 -30
Dissipação de poder F Ta =25°C Paládio 2 2 W
Ta =70°C 1,44 1,44 W
Avalancha B atual IAR 13 17
Energia repetitiva 0.3mH B da avalancha ORELHA 25 43 mJ
Variação da temperatura da junção e do armazenamento TJ, TSTG -55 a 150 -55 a 150 °C

B: Avaliação repetitiva, largura de pulso limitada pela temperatura de junção.

A dissipação de poder de F.The e a avaliação atual são baseadas na avaliação da resistência térmica do ≤ 10s de t.

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
AD9254BCPZ-150 1500 ANÚNCIO 16+ QFN
ADE-10H 1500 MINI 16+ SOP6
CNY74-4 1500 FSC 13+ DIP16
CY2305SXC-1HT 1500 CYPRESS 15+ SOP8
IRFP23N50L 1500 IR 16+ TO-3P
L7824 1500 ST 16+ TO-220
LFCN-530+ 1500 MINI-CIRC 14+ SMD
LNK304PN 1500 PODER 14+ DIP-7
LPS6235-104MLC 1500 COILCRAFT 14+ SMD
LT1248CN 1500 LT 16+ MERGULHO
MB15E07SLPFV1 1500 FUJITSU 16+ TSSOP
SN74HC165DR 1500 SI 13+ CONCESSÃO
V30200C-E3/4W 1500 VISHAY 15+ TO-220
PC733 1501 AFIADO 16+ MERGULHO
HCPL-0466-500E 1517 AVAGO 16+ SOP-8
BDW47 1520 EM 14+ TO-220
STF13NK50Z 1520 ST 14+ TO-220
M51995AP 1522 MIT 14+ MERGULHO
XC3S1600E-4FGG320C 522 XILINX 16+ BGA
RC4558P 1528 SI 16+ DIP8
ADA4528-2ARM 1550 DDA 13+ MSOP8
PIC16F648A-I/P 1555 MICROCHIP 15+ MERGULHO
TLP2531 1558 TOSHIBA 16+ SOP8
IRFP150N 1577 IR 16+ TO-247
IR2520DPBF 1580 IR 14+ DIP-8
EP3C10F256C8N 1588 ALTERA 14+ BGA
IRFPC60 1588 IR 14+ TO-247
LM2917N-8 1588 NS 16+ DIP8
TDA7851L 1633 ST 16+ ZIP25
NCP1203D60R2 1665 EM 13+ SOP-8

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